佰维存储第二季度营收23.69亿元,环比增长53.5%;归母净利润亏损2829万元,环比亏损大幅收窄。

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SK 海力士对未来 HBM 市场增长持乐观态度,部分原因在于客户可能会希望获得比 SK 海力士目前所能提供的更进一步的定制化服务,SK海力士有信心为客户提供具有竞争力的产品。

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PCIe 5.0 DRAM-less 主控 SM2524XT拥有 4 个 4800MT/s NAND 闪存通道,顺序性能超过 14GB/s、随机性能可达 2500K IOPS。

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合资公司将结合双方资源与专业技术,并运用南亚科技的先进制程与产能,提供高附加价值、高效能、低功耗的客制化超高频宽内存解决方案,拓展AI边缘运算的多元应用商机。

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在刚刚结束的2025 ChinaJoy展会上,aigo携全系列明星存储产品精彩亮相。在本次展会上,aigo与国内顶尖电竞力量——TEC(电子竞技俱乐部无畏契约)签署战略合作签约。

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闪迪宣布,已与SK海力士签署一项谅解备忘录,双方将共同制定高带宽闪存 (High Bandwidth Flash,HBF) 规范。通过此次合作,双方希望标准化规范、定义技术要求,并探索构建HBF的技术生态系统。

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华邦电子董事会已通过投资40~50亿元在台中厂增设Flash产能,NOR Flash与SLC NAND年产能将提升超20%。其中SLC NAND因受eMMC产能排挤,市场供应紧张,未来成长空间可期。

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三星近期已完成1c DRAM开发,并结束量产转移前的生产认可流程(PRA)。该产品将应用于以年底投产为目标的HBM4。

美国总统特朗普8月6日表示,美国将对进口半导体征收 100% 的关税,同时承诺对在美国境内建立或承诺建立制造业务的公司给予豁免。但特朗普未具体说明企业需要在美国投资多少才能获得关税豁免。

AMD CEO苏姿丰在财报电话会议上表示,受美国对中国实施先进芯片出口管制影响,以及产品转换至次世代MI350系列AI芯片,Q2的AI芯片营收呈现年减态势。AMD已于6月开始量产MI350系列AI芯片,预测产量将于今年下半大幅扩增。

消息人士称,英特尔通常要等到良率达70~80%时才能获利,对于Panther Lake这种尺寸较小、容错率偏低的芯片,这一点尤为重要。

该架构旨在满足生成式AI和高性能计算日益增长的需求,其32Kbit数据总线和单芯片高达512 Gbit的容量,带宽提升16倍,密度提升10倍,显著突破了传统HBM的局限性。

据闪迪介绍,UltraQLC™平台的关键特性之一是QLC直接写入技术,通过在首次写入时利用断电保护安全机制,消除对SLC缓存的依赖。此外,还可通过动态频率调节功能,在同等功耗水平下实现约10%的性能提升。

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预计「50% 规则」将迫使制造商与出口商强化对客户与最终受益人的背景审查,增加出口许可申请量,同时也可能导致潜在交易流失。

华为与高通的授权合约早已到期,但双方新的许可谈判还未达成,因此特别强调,目前QTL的收入中还不包括来自华为的专利使用费。

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