美国硅谷一家公司19日宣布开发出一种新技术,并计划利用它来制造比闪存容量更大、读写速度更快的新型存储器。
5 月下旬合约价今 (20) 出炉,5 月下旬合约价又涨,涨幅区间 3-7%,其中 DDR2 1Gb 800MHz 颗粒均价来到 1.13 美元; DDR2 2Gb 模组均价再涨 1 美元,来到 21 美元。
NAND Flash市况,土洋看法不同调。美国记忆卡大厂(SanDisk)昨(20)日预期本季价格持稳向上,但台湾最大记忆卡控制IC业者群联(8299)则相对保守
南韩DRAM大厂海力士(Hynix)首季大亏新台币300亿元后,对下半年营运释出较先前乐观的看法
海力士半导体公司、LG Electronics )、三星电子株式会社 和Silicon Image公司今天宣布组成一个产业联盟,推广串列埠记忆体技术 (SPMT) 在市场的应用
储存型快闪记忆体(NAND Flash)买气趋于观望下,现货价缓步走跌,5月来市场主流的16Gb MLC现货均价已下跌1成
DRAM现货价格大涨,是带动近期DRAM族群股价强攻的主要原因
DRAM需求不如预期,加上厂商产能利用率上升,下半年DRAM恐乌云重现,供给仍过剩。
随着记忆体价格回升,在今年第三季之前,将呈现逐季回升情况,不仅预估6月至7月之间,DRAM价格有机会上看1.5美元
全球第二大晶片厂海力士(Hynix)昨日预期DRAM价格可一路涨到下半年,创见(2451)、威刚(3260)等模组厂本季业绩持续走俏
近期DRAM内存芯片价格的上升趋势可能持续到09年下半年,营业收入可能较预期更早达到收支平衡。
DRAM在供给随增加下,将压缩DRAM价格涨升的幅度
DRAM下半年的需求恐怕不如预期,DRAM产业恐“乌云重现”.摩根大通证券也指出,目前产能利用率回升,又将造成下半年供给过度风险。
记忆体产业景气已触底,预计下半年价格仍有调涨空间,目前供需趋平衡,预期第四季可望损益两平
全球第二大DRAM厂韩国海力士(Hynix)酝酿涨价10%,DRAM族群19日群起大涨呼应,早盘力晶(5346)、华亚科(3474)攻上涨停板