DRAM涨价效应蔓延,涨势从从合约市场延烧至现货市场,1Gb容量DDR2价格直逼1.5美元,DDR3涨势也蔓延至DDR2产品,DRAM厂表示,原本采用DDR3平台的PC厂,在DDR3缺货且价格飙涨之后,开始将部分机种转回DDR2平台,但发现受到之前减产的影
三星电子(Samsung Electronics)产品线包括NAND Flash芯片、快闪记忆卡、MCP存储器、固态硬碟(SSD)等,目前为NAND Flash产业龙头,市占率超过30%,与过去高峰时市占率50%相比,三星近年来承受不小压力,除了是东芝(T
存储器龙头厂三星电子(Samsung Electronics)大手笔将美国德州Austin的8寸晶圆厂房,升级为生产NAND Flash芯片的12寸晶圆厂,Austin预计在2009年10月关厂,目前已通知客户减少下单量,预计整起转换要到2010年下半才会
根据配备各种存储器的电子终端等的产量,笔者预测了2013年之前NAND型闪存和DRAM的需求走势。预测结果为,1990年代曾经拉动半导体元件投资增长的DRAM即将完成其使命,NAND型闪存将取而代之,一跃成为投资主角。
DRAM市场因DDR3缺货,采购端转向购买DDR2,近期DDR2出现补涨效应,带动DRAM类股昨表现抗跌,华亚科(3474)、力晶(5346)逆势收红。 DRAM业者指出,DDR3因客户需求增加,带动供货吃紧,预期到9月将持续缺货,在缺货没有纾解前,价格
在记忆体产业上中下游一致看好下,DDR2 1Gb eET颗粒现货最新报价出炉,涨幅达2.36%,均价达1.47美元,离市场预期目标价1.5美元仅剩下2%的空间,本周即有机会正式站上1.5美元大关。
三星电子将于今(2009)年10月停止于奥斯丁工厂生产DRAM,并投下5亿美元(约473亿日圆)改良生产线,于明(2010)年后半开始生产NAND Flash。
台湾创新记忆体公司TMC登记成立,董事会由联电荣誉副董事长(宣明智)等具有浓厚联电色彩的人马担任,而募资的股东当中,不但矽品表态,就连IC设计龙头联发科也都传出有意入股,也让TMC的前途更为看好。由于目前DRAM的市场价格已逼近成本,而且涨势相当凌厉,预估
外电报导,加州第一区上诉法院于13日晚间宣布,美光(Micron Technology Inc.)希望阻止特殊规格记忆体晶片厂商Rambus Inc.反托拉斯控诉官司继续进行的申请已遭到驳回。Rambus 13日闻讯大涨12.27%,收17.75美元。美光
据国外媒体今日报导,三星电子正计划对美国德克萨斯州奥斯汀的一处记忆体晶片工厂进行升级改造,这一过程中将裁员500人。
在DDR3现货高达2美元下,下游OEM大厂相继将采购方向转往DDR2,导致DDR2亦出现上涨走势,记忆体模组厂劲永认为,9月DDR2颗粒价格将上看1.6美元,超越三星电子的成本价1.5美元;而创见(2451)看好第四季DDR2有机会上看2美元,下游厂商竞相
英特尔(Intel Corporation)、美光科技(Micron Technology Inc.)于11日美国股市盘前宣布,他们已携手开发出市场上尺寸最小、最具成本效益的32Gb NAND型快闪记忆体晶片,采用的是新的3-bit-per-cell(简称
上午DDR2现货价涨幅约1.5%,1Gb DDR2来到1.44美元,业界估本季可站稳1.5美元,将带动下半月合约价续涨。 由于DDR3供不应求,国内外厂商增产DDR3,压缩到DDR2供给面,带动本月DDR2现货价大涨,距离起涨点约1美元,波段涨幅逾45%
美光(Micron Technology Inc.)记忆体部门副总裁Brian Shirley在加州快闪记忆体论坛上接受专访时表示,DDR3短缺迫使OEM转向DDR2,目前看来DDR2供应也开始吃紧。 Shirley并表示,有关NAND型快闪记忆体(N
NAND闪存产业正处在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari称未来的产能需要和产品需求“失去了关联”。NAND闪存糟糕的产业模式使厂商对建新厂失去兴趣。