全球最大编码型快闪记忆体(NOR Flash)制造商飞索半导体(Spansion)正式终止与日月光在中国大陆苏州的合作计划,飞索转将苏州厂以5,100万美元出售给记忆体封测大厂力成,力成此举等同宣布正式进军大陆封测市场。
消息指出,韩国DRAM大厂三星(Samsung)、海力士(Hynix)计划本月底大幅提高DDR3产能,此动作恐削缓目前DDR3供不应求的力道,短期价格上涨恐出现阻力,使得上周五最新现货报价已落破2美元。
随着DRAM价格上涨,景气似乎出现触底反弹迹象,国际间的DRAM股近月以来,呈现大涨走势,尔必达(Elpida)、美光(Micron)、海力士(Hynix)等3档DRAM股最近一个月涨幅,分别高达53.56%、15.28%、20.6%,尔必达股价创下去年1
记忆体模组厂威刚( 3260 )今年上半年税后纯益7.37亿元,每股纯益3.96元,表现不俗。因为电脑/笔记本的OEM厂需求火热,看好第三季DRAM的表现,仍持续拉高DRAM芯片库存比重,第三季的DRAM产品营收可能超过50 % ,成为公司营运主轴。
继DRAM的现货价回涨逾1.5美元后, 8月下旬的DRAM合约价也全面上涨,皆较上旬涨逾4 % ,外资买超华亚科( 3474 )逾1万张,带动盘中涨停,力晶( 5346 )也因今起全面取消无薪假,全面复工生产,昨股价涨停,成交量暴增到逾18万张。
全球快闪记忆体(Flash)大厂三星电子与东芝双双表示,美国司法部针对快闪记忆体晶片价格垄断调查案在两年后终于结束。 三星电子周四表示,美国司法部日前通知该公司,NAND Flash价格垄断调查案终结。另外东芝发言人Keisuke Ohm
8 月下旬 DRAM 合约价持续全面上扬逾 4%,DDR2 1Gb 颗粒均价来到 1.41美元,单月合约价涨幅逾 15%。
在DRAM现货价格创下近一年以来新高,合约价也跟进上涨,昨日8月下旬合约价开出红盘,DDR2与DDR3涨幅均逾4%,激励DRAM股逆势大涨,由于五档DRAM股中,仅华亚科(3474)、力晶(5346)正常交易,因此买盘涌向这2档股票,双双亮灯涨停,力晶成交
8月下旬动态随机存取记忆体(DRAM)合约价出炉,DDR21Gb 及DDR3 1Gb合约价同步上涨4%以上,同创今年新高价。 DDR3在市场供给吃紧带动下,产品合约价持续走扬,8月下旬DDR3 1Gb合约均价已达1.56美元,上涨4%,续创今年新
8月下旬DRAM合约价出炉,DDR2与DDR3同步走扬,DDR2报价更创下去年10月下旬以来新高。 不仅力晶(5346)、南科(2408)、华亚科(3474 )、茂德(5387)等营运现转机,向来被DRAM报价偏低所苦,导致拉低营运绩效的华邦电(2344
DRAM 价正式涨上 1.5 美元,DRAM 厂可望止血转为现金流入,看好第 3 季旺季到来,上半年大减产的力晶 (5346-TW) 在 7 月即提高库存水位,并决定在 8月 21 日起停止无薪假,全面复工。由于国际大厂多数投入 DDR3,仍以 DDR2
8月20日消息,据市场研究公司iSuppli称,2009年第二季度全球DRAM内存芯片的销售收入达45亿美元,比今年第一季度的34亿美元增长了34%。今年第一季度全球DRAM内存芯片的销售收入比去年第四季度下降了19%。不过,与去年同期相比,第二季度的DR
科技市调机构iSuppli 19日发表研究报告指出,2009年第2季日本DRAM大厂尔必达(Elpida)的营收季增49.9%至7.45亿美元,季增率居全球前5大DRAM厂商之冠,主要是拜该公司的DRAM均价较前季劲升32%之赐。值得注意的是,Q2力晶(5
DRAM旺季效应持续发酵,主流规格1Gb DDR2现货价昨日重回近1年高点的1.5 美元大关,业界预期本季价格仍有上扬空间,营运可大幅改善。力晶(5346)透露,报价已逼近晶片整体生产成本,只要产能回复正常,就有机会获利。
DDR2现货报价在DDR2与DDR3互抢产能之下,终于顺利站上关键价位1.5美元,DDR2 1GB eTT报价上涨1.74%,平均价格落在1.53美元,根据模组厂预测,三星电子DDR2成本约1.5美元,因此现货价位持续上扬,将有助三星电子拉大获利,另方面也