美国挟持强大的贸易和经济优势,常藉由政治力保护国家产业,这次美光(Micron)再次透过世界贸易组织(WTO)的力量,要求日本和台湾进一步公布获得政府金援的细节,并认为DRAM价格不断下跌及美光日前公布新一季的财报再度亏损18亿美元,都与日本政府金援尔必达
主要用于手机、数码相机等移动IT产品的快闪记忆体晶片价格也在急剧上涨。“NAND型快闪记忆体16Gb”价格为5.4美元,达到去年4月以后的最高值。去年4月,快闪记忆体晶片价格为5美元,同年11月曾降至1.64美元。
预期在未来3~6个月,DDR3将会正式取代DDR2,成为DRAM主流,届时DDR2成为利基型产品,价格也将会较DDR3高。而台系厂商需把握这段时间,尽可能多赚些钱。
台湾DRAM产业未来还是必须进行整合,最多只能留下两家,一家主攻标准型DRAM,一家主攻利基型DRAM。
受惠个人电脑(PC)、液晶电视(LCD TV )市场需求强劲,旺宏因近期新增不少客户群,64Mb以下中低阶NOR Flash已出现供应吃紧。
2008年全球金融风暴以来,NOR Flash产业经历重组的洗礼,半导体产业除了要重视产品技术的研发外,产能控制也是重点之一
利基型记者体产品的整体用量约占整体DRAM产业2成左右,而在标准型产品已回升至现金成本之上,当然产品价格也同步受惠。推估,从2009下半起,产品价格可望持稳,相关业者的毛利率将受惠。再加上对于半导体产业对于后续展望乐观,业者营收可望慢慢回稳。
至于9月营收部份,华邦表示实际数据尚未结出,目前无法评论。不过近期随表准型DRAM价格大涨,除公司标准型DRAM产品线营收表现可望提升下,也带动其余如Specialty DRAM、Mobile RAM及NOR Flash等产品价格略为上涨,整体第三季表现应
DRAM现货价持续攀高,1Gb DDR2品牌颗粒站稳2美元,但随价格走升,DRAM厂增产,加上步入淡季,部分法人认为10月中旬DRAM报价将出现压力。
NAND Flash方面,则在新兴市场需求大增,加上手机等消费性电子出货量增加挹注下,针对特殊规格产品,如Micro SD 2GB容量,都严重供货吃紧,预期年底前NAND Flash供应仍会不足,因而出现缺货。
三星营运策略出现不少重大转变,将影响内存产业生态,三星日前决定全面停止对台销售DRAM芯片,一律只销售DRAM模块。
最早三星只出NAND Flash芯片给下游客户,客户再做成快闪记忆卡和随身碟,但之后三星开始自己做快闪记忆卡,目前现货客户也向三星采购部分的快闪记忆卡,但也有NAND Flash芯片,采购成卡部分是以小型记忆卡microSD为主,数字相机使用的大型记忆卡,
Uni-chem将斥资5,000万美元买下南韩记忆体晶片大厂Hynix Semiconductor Inc.位于美国奥勒冈州犹吉尼市已停止运作的DRAM厂。Uni-chem计画利用该座厂房生产太阳能电池,以便开拓新事业。
DRAM报价再创新高,DDR2 1Gb 128Mx8 eTT颗粒现货均价已达1.94美元,台厂可望陆续进入现金净流入(cash in)。不过法人也指出,下半年台湾DRAM厂投片量大幅提升,已达近一年来新高,加以传统淡季即将来临,预期可能对10月中旬DRAM
2009年出现NAND Flash和DRAM双好行情,但时序进入个人计算机(PC)和消费性电子产品的传统淡季,对于NAND Flash和DRAM价格是否可以维持涨势,各界看法偏向保守,NAND Flash供货吃紧的情况预计会到11月,而DRAM价格是否可以