华邦转型之路越来越成熟,近期标准型DRAM价格止跌翻扬,华邦也毫不留恋,继续耕耘利基型市场的地位。华邦目前NOR Flash产品线上,目前已由8吋晶圆厂转换至12吋晶圆厂生产,且开始导入先进的90奈米制程,未来NOR Flash产品线在12吋晶圆厂生产比重

十一长假之后的价格理应暂时回档,然价格却出现看回不回的盛况,显见需求是真的比预期还要强劲,10月份有Win7上市效应,以及圣诞节之前启动的备货需求,以现货价的走势来看,圣诞节前带动的DRAM需求的确是值得期待。

10 月上旬动态随机存取记忆体 (DRAM)及NAND Flash合约价出炉。DDR2 1Gb颗粒合约均价大涨7.23%,NAND Flash市场主流的16GbMLC 合约均价也同步大涨8.26%。

由于市场供货吃紧,10月上旬主流MLC NAND Flash合约均价上涨约8%到10%,因旺季需求持续,预期短期NAND Flash价格将持续盘坚的格局。

近期NAND Flash合约价再度大涨,主要系手机等OEM客户需求相当热络,但这亦挤压现货供货量,使得NAND Flash现货价表现同样不遑多让。

三星重合约、轻现货的策略,是否会持续执行,也要看市场到底缺货缺多久,若供过于求的景象再度来临,三星是否会再回头找模组客户帮忙,其实值得进一步观察。

日本记忆体业者尔必达(Elpida Memory)拟投资400亿日圆(约4.52亿美元),跨入40奈米制程以增加产出,预计将增加目前产量的5成。

利机企业9月营收为新台币1.18亿元,较8月成长22%,主要系受惠于DRAM和Flash市场需求强劲,加上驱动IC的营收持稳,因此提振9月业绩。

8日DRAM现货价格再度呈现大涨,1Gb容量DDR2芯片价格大涨5%,DDR3芯片也上涨2%。而此番连日大涨的情况,其实跌破市场眼镜,内存业者表示,当1Gb容量DDR2价格站上2美元大关后,市场大多数的人都认为是此波行情的高点,但2009年的内存市场一直有

固态硬盘以高于硬盘驱动器几倍的性能而著称,但是很少有人知道固态硬盘的性能可能会随着时间而降级,有基准测试显示新的固态硬盘比使用了一段时间的固态硬盘性能更高。

今年以来奇梦达退出市场,茂德因现金部位偏低,无法拉高产能,导致DRAM颗粒的供货量减少,然在需求回升,可开出产能却无法拉高之下,下游模组厂商威刚甚至预言,DRAM产业将有两年的多头行情。

近年来三星电子(Samsung Electronics)一直有意推出自有品牌记忆卡,尽管受到下游客户强力反对,然记忆体业者透露,三星自有品牌记忆卡计画已正式启动,将于10月底铺货至通路端

三星在NAND Flash市场饱受缺货之苦时,还逆势推出自有品牌记忆卡,在最缺货的时候切入市场,或许是最好的时机点;再者,2010年初NAND Flash市场买气再度降温时,三星自有品牌业务若成气候,也可多一条消化货源的管道,而这次三星选择与创见合作,通路

Extreme Pro CompactFlash记忆卡储存容量涵盖16GB、32GB到64GB,在超大储存容量支援下,加上更快读写速度,摄影师将可快速连拍RAW 格式的影像与高解析度影片,不必担心储存空间不足

三星电子(Samsung Electronics)多年前开始生产制造快闪记忆卡,从单纯的NAND Flash供应商跨足成卡制造,但一直仅限于白牌市场,让下游客户贴上自有品牌,近几年三星推出的白牌快闪记忆卡,都是以小型记忆卡microSD为主,也大量供应给手

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