海力士(Hynix)半导体今(23)日公布第三季财报,单季获利2460亿韩元(2.07亿美元),终止连续七季亏损,分析师表示,明年PC、服务器需求回温,可望带动DRAM产业求需求。

DRAM现货价持续陷入高档整理,最新合约报价已贴近现货价水准。10月下旬合约报价显示,DDR2 1Gb颗粒均价来到2.06美元,最高价甚至来到2.44美元,最大涨幅达 32.6%。

DRAM市场供应吃紧,带动1Gb DDR2合约价爆涨。昨(22)日出炉的10月下旬合约价,1Gb DDR2晶片最高涨幅达32.61%,上涨幅度创近年来新高。业者认为“还不到价格顶点”,11月价格持续看涨。

明年DRAM短缺已成为多数DRAM厂共识,然NAND Flash则因为苹果(Apple)iPhone吃掉高达30%货源,加上固态硬碟(SSD)需求带动,瓜分了NAND Flash供应量,明年NAND Flash缺货问题也将浮现。

台湾创造力实验室公司负责人杨春足昨(22)日认为,现有DRAM耗电且耗能、应该淘汰,他提出“绿色记忆体CSDRAM”研发方案,主要特色是“省电和速度快”,希望利用此记忆体再造机会,整合台湾半导体和光电产业走上3C产业。

10 月下旬动态随机存取记忆体 (DRAM)合约价出炉,市场主流DDR2 1Gb颗粒均价攀高至2.06美元,大涨15.73%,续创今年新高价。

DRAM供给吃紧,带动10月下旬动态随机存取记忆体(DRAM)合约价续涨,昨出炉合约价DDR2、DDR3全面上扬,其中,市场主流DDR2 1Gb颗粒均价攀升到2.06美元,飙涨15.73%,续创今年新高。预估DRAM厂第四季可望转亏为盈。

近年来,记忆体市场供过于求,市场疲乏,使该产业陷入一场破坏性的价格战。如今,记忆体厂商之间的战争真的已经结束。新帝公司 (SNDK-US;SanDisk) 出色地将记忆体价格稳定下来,还成功从中获取盈利。

台湾“经济部”工业局今 (22) 日中午宣布,DRAM 产业再造方案送件申请,在昨 (21) 日又收到台湾创造力实验室有限公司以邮寄递件方式提送营运计画书。

DDR3、DDR2正进行世代交替,DDR2面临供需失调,在第 4季呈现大缺货状态,南科(2408-TW) 副总白培霖表示,DDR2合约价从 9月、10月到11月,涨价幅度都在 20%水平;

DRAM厂法说会由南科(2408)和华亚科(3474)昨(21)日打头阵,因受惠个人电脑市场需求强劲,第3季DRAM价格大幅成长,第3季税后亏损分别为38.88亿元和25.24亿元,单季合计亏损64.12亿元,较第2季合计亏损106.61亿元缩减约40%。

台塑集团在台湾官方DRAM产业再造方案递件截止日时,选择了不送件申请国发基金协助;随旗下南科、华亚科宣布扩大明年资本支出规模,更宣示台塑集团要贯彻“DRAM业走自己的路”的决心。

台塑集团旗下南科、华亚科昨(21)日决定,大幅调高明年度资本支出达640亿元,是今年资本支出的2.5倍,誓言夺台湾DRAM一哥。

这一波景气复苏的力道是从亚洲市场开始,尤其是大陆市场最明显,十一长假过后的补货力道相当强劲,现在美国市场也逐渐看到景气回复,欧洲市场预计都比美国晚4~6个月,但预计2010年初也逐渐加入复苏的脚步。

记忆体模组大厂创见(2451)董事长束崇万昨(20)日表示,记忆体未来一年仍有好光景,创见今年营运“没有淡季”,第三季获利与营收成长幅度相当,第四季业绩持续向上。法人预估,创见今年可赚进一个股本。

简讯快报

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