韩系大厂在40奈米世代制程进度上,仍是呈现领先态势,三星和海力士(Hynix)将分别转进46奈米和44奈米制程,下半年可望大量出货,但全球真正40奈米世代之战,时间点会是在2011年,届时登场的主流产品会是2Gb容量的DDR3芯片。
到今年第三季,全球NAND Flash恐将还是会面临缺货,原因在于几家手机大厂为了旗下智能型手机,早已提前向NAND Flash厂下单,在供给增加有限情况下,缺货情况已难避免。
目前逻辑IC出货已经回到2008年第1季的水准,但实质消费需求却低于此。在晶圆厂和封测厂产能提升的情况下,今年下半年的产能利用率可能下滑。
利基型记忆体设计厂力积(3553)董事长陈正坤表示,今年来产品价格已上涨2成,预期第2季价格可望持续攀高;尽管晶圆代工价格也将调涨,不过,毛利率可望力守15%。
晶圆代工龙头大厂台积电(2330)上月营收交出创下历史新高优于预期的成绩单,以其本季的财测目标,即使是现已进入电子业传统的「五穷六绝」淡季,在扩产效应下,业绩仍可望逐月成长,而目前包括面板、DRAM业也都有类似景况,今年第二季将打破过往的淡季现象。
科技市调机构10日发表研究报告指出,2010年第1季全球DRAM销售额年增181.6%(季增9.7%)至接近95亿美元,主要是拜PC需求优于预期、供给吃紧促使DRAM出货量与均价劲扬之赐。
DRAM价格虽处于回档整理格局,但后市仍看好,南科(2408)、华亚科(3474)、茂德(5387) 、力晶(5346)四大DRAM厂相继强势涨停。
DRAM大厂南科(2408)今(11)日起恢复信用交易,在今年景气仍然看好,昨日股价提前表态大涨,股价亮灯涨停,在类股修正已深之下,以南科为首的DRAM族群受其激励,除了华邦电(2344)外,其余均涨停收市;
个人计算机(PC)传统淡季席卷内存产业,不但DRAM需求迟缓,NAND Flash市场更是持续停滞,欧洲发生冰岛的火山爆发事件,导致欧洲航线大乱,内存模块厂4月营收一败涂地!
目前NOR Flash产业供给吃紧的状况仍是无法纾解,主要是因为没有新增产能的加入,除了华邦下半年要把NOR Flash产能从现在的7,000片拉升至1万片外,旺宏日前买下茂德新竹厂也要2011年才能开始量产,DRAM厂和晶圆代工产能同步吃紧,因此NOR
NOR Flash产业供不应求状况十分严重,主要是终端需求大爆发,但供给端不但是多年未扩产,还有飞索(Spansion)破产,以及SST(Silicon Storage Technology)和恒忆(Numonyx)相继出售,导致供给缺口进一步扩大。
动态随机存取内存(DRAM)价格年初以来维持强势,但封测厂强调,7月尔必达新增产能是否可以去化是重要观察期,一旦能顺利消化,DRAM产业荣景将能持续到明、后年。
DRAM厂与模组厂一致看好今年 DRAM 市况,封测厂联测总经理徐英琳则认为,7 月尔必达阵营新增产能能否顺利去化,将左右后续 DRAM 价格走势,是一观察重点。
固态硬碟(SSD)解决方案供应商芯科有限公司(STEC, Inc.)于6日美国股市盘后公布2009年第4季(10-12月)财报:营收年减38.9%(季减63.4%)至3,880万美元;本业每股亏损0.08美元,逊于去年同期的本业每股盈余0.17美元。
USB 3.0芯片商机吸引各路人马抢食,为赶在英特尔(Intel)于2012年初加入战场前先抢地盘,包括祥硕、钰创、威锋及智原将自6月起量产出货,并祭出5折低价,挑战恩益禧(NEC)独大地位,亦使得USB 3.0 Host端控制芯片市场迅速进入一片红海。