为实现上述目标,美光正向多家HBM制造设备供应商增加采购订单,相关设备持续运入其中国台湾地区和新加坡工厂。目前,美光HBM封装业务主要在中国台湾铜锣厂和新加坡兀兰厂推进,日本广岛工厂的设备投资也在筹备之中。

据媒体报道,美光正探索开发高耐久性NAND闪存模块的方案,研究如何将NAND闪存更靠近GPU,以处理那些不需要传统HBM或常规DRAM模块那样高延迟和高带宽的工作负载。这种架构目前被称为“近GPU NAND”(Near-GPU NAND),旨在兼顾密度和耐久性。该方案允许GPU访问密度低于传统TLC或QLC NAND的NAND闪存池,但重点在于提升I/O速度、带宽和读取速度。该技术将使GPU能够直接访问数百GB的潜在存储池,LLM将不再受限于内存。

Cherian直言,对于云服务商而言,若投入数十亿美元建设的AI处理器因等待内存带宽而闲置,等同于大量算力资本开支被浪费。因此,Google现阶段关注的核心不仅是内存价格,还有能否获得足够的内存,让昂贵的AI芯片持续保持高负荷运转。

三星将技术方向凝练为CUBE战略——Capacity(容量)、Utilization(优化)、Bandwidth(带宽)、Efficiency(功耗与散热效率),通过3D结构创新同步突破容量、带宽与能效瓶颈,产品线从通用DRAM、NAND扩展至HBM、企业级SSD及下一代zHBM、zNAND-O,形成覆盖AI内存全场景的产品矩阵。

兆易创新9月1日召开2026年半年度业绩说明会。DRAM方面,公司预计DRAM产品在下半年还会延续上涨的态势,价格会转为温和上行。展望2027年,DRAM行业增量产能释放相对有限,DRAM供应的紧张局面不会明显缓解,行业景气周期相对较长,产品价格预计呈高位震荡态势。NAND方面,公司预计NOR Flash产品价格温和上涨预计仍将持续一段时间,其中大容量产品价格涨幅相对明显;SLC NAND Flash供应短缺目前仍未出现显著缓解,公司预计其景气周期至少延续至2027年全年。

长鑫存储成为继小米、中微、禾赛、药明康德、阿里巴巴、长江存储之后,第7家对美方"中国涉军企业"清单发起法律反击的中国企业。

由于供应正转向以需求为导向的定制化模式,即便下行周期到来,也不会像过去那样出现严重的供过于求问题。郭鲁正表示:"即便下行期到来,需求也不会急剧萎缩,而是趋于放缓或维持在计划水平。因此,我对2030年之后的前景并不担忧。"

在HBC的制造环节,高通仅负责设计和系统集成,开发位于DRAM芯片下方的计算裸片,并提供TSV设计方案。三星电子和SK海力士则负责DRAM的堆叠工作。高通计划与台积电合作,完成各项技术的集成与封装。

订单经双方书面确认起生效,交付期限为订单生效后 18 周内。订单还就产品名称、产品数量、单价、付款条件等内容进行约定。

据日媒报道,因AI普及,带动存储需求激增,为加快高性能产品的增产投资,铠侠将在岩手县兴建NAND Flash新厂房,预估投资额将超过1兆日圆(约合62.78亿美元)。铠侠高层将在27日访问日本首相官邸,宣布新厂兴建计划。

在兼容性方面,LPDDR5X-PIM采用与现有LPDDR5X相同的封装和内存控制方式,无需额外的内存控制器即可直接应用于现有系统。通过按照JEDEC制定的封装标准开发产品,使用现有LPDDR5的用户可以轻松切换到LPDDR5X-PIM。

在2048引脚配置下,14Gbps版本单堆叠最大带宽可达3.6TB/s;当速率提升至16Gbps时,单堆叠最大带宽将跃升至4TB/s。

由于初步协议被否决,劳资双方预计将立即进入重新谈判阶段。预计具体的调整将集中在关键争议点上,例如计入绩效奖金的库存股比例以及股票拆分出售的条件。

HBM 的堆叠层数正不断攀升:早期为4层,当前主流12-16层,未来方向20层以上。层数越多,带宽和容量越大,但功率密度也随之急剧上升,散热难度显著增加。这已成为 HBM 进一步扩展面临的核心工程挑战。

据韩媒报道,尽管AI驱动的内存需求加剧了DRAM的供应短缺,但预计三星电子今年下半年的增产速度将低于市场预期。这主要是因为三星电子优先考虑从10nm第五代(1b)工艺向10nm第六代(1c)工艺的过渡,更加注重提高良率而非扩大产量。

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