三星电子最新财报显示，2025年第二季度（4-6月）营收为74.6万亿韩元(约合536.5亿美元)，环比减少6%，同比增长1%；经营利润4.7万亿韩元(约合33.8亿美元)，环比减少30%，同比大减55%；净利润5.1万亿韩元(约合36.7亿美元)，环比减少38%，同比减少48%。

数据来源：三星电子，图表制作：CFM闪存市场

三星电子Q2存储营收为21.2万亿韩元(约合152.5亿美元)，环比增长11%，同比减少3%。存储业务所在的DS部门Q2营收27.9万亿韩元(约合200.7亿美元)，环比增长11%，同比减少2%，经营利润为0.4万亿韩元(约合2.9亿美元)，环比减少64%，同比减少94%，为近六季以来首度跌破万亿韩元大关。

三星电子表示，DS部门的营收因高密度、高性能存储产品销售增长而有所增长，但产品库存价值调整以及受中国非存储产品出口限制影响的一次性成本对利润产生了不利影响。展望下半年，DS部门计划积极满足日益增长的高附加值和人工智能驱动产品需求，并持续增强先进半导体领域的竞争力。

数据来源：三星电子，图表制作：CFM闪存市场

二季度，三星电子旗下的存储业务积极应对强劲服务器需求，扩大HBM3E和高密度DDR5产品销售占比。同时，随着此前延期的数据中心项目重启，也带动服务器SSD销量增加，NAND库存显著降低。然而，库存价值调整等一次性成本对收益产生了影响。

三星电子在财报会议上表示，与上一季度相比，该季度DRAM bit出货量增幅10%左右，与初步预期一致；NAND bit出货量增幅也超出预期，与上一季度相比增幅达到20%左右；HBM销售额按bit计算环比增长约30%，其中，HBM3E在HBM总销量中所占比例扩大至 80% 以上。三星电子目前正逐步完成各个客户的量产认证，以确保客户需求，预计下半年 HBM3E销售占比将达到 90% 以上。

展望下半年，随着主要云服务提供商的持续投资，三星电子预计AI需求驱动的服务器DRAM 和 NAND需求将保持强劲。为了满足人工智能服务器对 DRAM 的强劲需求，内存业务将积极满足高密度产品的需求，并通过HBM、服务器 LPDDR5X、高密度 DDR5、24Gb GDDR7等产品实现产品多样化。在 NAND 方面，计划提升高密度、高性能SSD的销量，同时加速所有应用向第八代 V-NAND 的过渡。

HBM方面，三星电子已完成采用 10nm 级第六代（1c）纳米工艺的第六代高带宽存储器（HBM4）的开发，并已向主要客户发送样品。HBM4 将先进的逻辑工艺应用于基础芯片，与上一代 HBM3E 相比，性能和能效均有显著提升。三星电子计划继续扩大对 1c DRAM工厂的投资，为明年 HBM4 需求的预期增长做好准备。

随着韩美关税谈判的结束，市场不确定性明显减少，三星电子将密切关注美国针对半导体及其衍生品的232条款调查结果，该结果预计将于8月中旬公布。这项调查不仅涉及半导体，还涉及智能手机和平板电脑等移动设备。