消息称ASML四代EUV光刻机迈进1nm,2025~2026年大规模应用

半导体 网络 AVA 2021-03-18 18:04

据悉,EUV设备大厂ASML现在主力出货的EUV光刻机分别是NXE:3400B和3400C,它们的数值孔径(NA)均为0.33,日期更近的3400C目前的可用性已经达到90%左右。

据外媒报导,ASML产品营销总监Mike Lercel日前透露EUV(极紫外)光刻机的最新进展:预计今年年底前,NXE:3600D将开始交付,30mJ/cm2下的晶圆通量是160片,比3400C提高了18%,预计会是未来台积电、三星3nm制程的主要依托。

3600D之后,ASML规划的三代光刻机分别是NEXT、EXE:5000和EXE:5200,其中从EXE:5000开始,数值孔径提高到0.55,预计将在2022年晚些时候发货。由于光刻机从发货到配置/培训完成需要长达两年时间,因此0.55NA的大规模应用要等到2025~2026年,或用于台积电2nm甚至1nm等工艺。

与0.33NA相比,0.55NA具备更多优势,包括更高的对比度、图形曝光更低的成本、更高的生产效率等。但随着硅片、曝光洁净室逼近物理极限,随之而来的挑战也不容小觑。现今5nm/7nm光刻机已然需要10万+零件、40个集装箱,而1nm时代光刻机要比3nm还大一倍左右,其规模和难度将更上一层楼。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

标签:

简讯快报

更多