DRAM行情走低，三大原厂将减少2成以上投资，改善市场供需！

据IC Insights最新数据，主要的DRAM原厂减少在DRAM设施上的投资，预估2020年三家合计设施总投资将达125亿美元，相较于2019年的169亿美元减少26%。

其中，三星、SK海力士、美光在2020年的DRAM设备投资将分别为49亿美元、40亿美元和36亿美元，而在2019年DRAM设施投资则是62亿美元、65亿美元和42亿美元，分别同比下滑21%、38%和14%。

来源：IC Insights

据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，因为“疫情”带动“宅经济”增长，服务器和笔记本需求强劲，2020年第二季度DRAM整体销售额170.6亿美元，环比增长15%，同比增长16%，而三星、SK海力士、美光三大原厂占据95%以上的市场份额，一直处于全球垄断地位。

来源：中国闪存市场ChinaFlashMarket

三家原厂减缓DRAM投资，“疫情”带来的不确定性是主因

2020年三大主要DRAM原厂减少投资，主要是“疫情”带来的不确定因素影响，尤其是下半年海外“疫情”反复且有持续恶化的趋势，加剧Q3季度服务器市场需求环比下滑，而手机、PC等主流市场销售也依然低于2019年同期表现，使得业内人士对后续市场前景看法保守。

从近期DRAM行情观察，因为服务器需求将环比下滑，恐影响服务器DRAM很难维持Q2的高档价位。与此同时，手机和PC整体销售低于2019年同期表现，消费类市场DRAM价格也持续表现跌势，据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，DDR颗粒价格累积跌幅已超过10%，渠道市场部分内存条价格累积跌幅也超过了20%。

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在需求和价格双双低迷的影响下，三星、SK海力士、美光必然会调整供应，甚至是延缓投资计划。

DRAM将在1Znm之后大量导入EUV，预估2021年投资将会增加

一直以来，原厂都是依靠技术升级来增加DRAM产能，目前三星、SK海力士、美光DRAM技术已进入到1Znm技术阶段，且三星已在DRAM技术中导入EUV工艺，SK海力士和美光计划在1anm或1β技术节点的DRAM中引入EUV，从而提高性能、产量并缩短开发时间。

在建厂方面，三星于2018年开始新建的P2工厂规划是在2020年进行设备投资，用于投产第二代（1ynm）和第三代（1znm）10nm级DRAM，也包括建设极紫外光刻（EUV）生产线。

SK海力士则正在新建的M16工厂预计将在2021上半年进行设备投资，目前还未确定生产DRAM还是NAND Flash。至于美光，在台中科厂区旁兴建的A3已完成洁净室建设，预计2020年底可完成主体建设， 2021年有望进行设备投资后，导入最新制程试产DRAM。

根据目前三大DRAM原厂的投资建设进展，以及在1Znm技术之后将大量投入EUV工艺，预计三星、SK海力士、美光在2021年的投资会有所增加。