238层产品数据传输速度为每秒2.4Gb,比上一代提升了50%;与 176 层 NAND 相比,其整体生产力提高了 34%。SK Hynix 2022-08-02
美光232 层 NAND拥有业界最快的 NAND I/O 速度 — 每秒 2.4 GB (GB/s)。Micron 2022-07-27
Micron 3D TLC B95A提供16GB-32GB多种容量选择,支持LDPC纠错。Micron 2019-05-09
Toshiba 3D QLC TGF23采用BGA封装,提供192GB存储容量选择。KIOXIA 2018-06-14
Samsung 3D TLC ADGU0D采用16nm工艺,提供16GB容量选择。Samsung 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0F采用15nm工艺,提供16Gb容量选择。Samsung 2018-05-10
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M采用16nm制程,提供16GB容量选择。SK Hynix 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B采用1ynm制程,提供16GB-64GB多种容量选择。SK Hynix 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M采用16nm制程,提供8GB-64GB多种容量选择。SK Hynix 2018-04-26
Micron 3D TLC B16A提供32-126GB三种容量选择,支持LDPC纠错。Micron 2018-03-14
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C采用LFBGA封装,提供32GB-256GB多种容量选择。SK Hynix 2018-03-14
Samsung 3D TLC AFGH0A采用LDPC纠错,提供32GB容量选择。Samsung 2018-03-14
Toshiba 3D TLC G9T24采用BGA封装,提供128GB-512GB多种容量选择。KIOXIA 2018-03-14
Samsung 3D TLC ADGS0F采用15nm工艺,提供16GB容量选择。Samsung 2018-03-14
Samsung 3D TLC ABGU0E采用16nm工艺,提供4GB容量选择。Samsung 2018-03-14
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