| 名称 | NAND I/O速度 | 容量 | 技术 |
|---|---|---|---|
| BiCS8 FLASH | 3.2GB/秒 | 1Tb | 横向微缩 |
铠侠与西部数据日前发布最新的3D闪存技术的细节，最新218层的3D闪存采用创新的横向微缩技术，为4平面(Plane)的1Tb三层存储单元(TLC)和四层存储单元(QLC)，带来超过50%的位密度提升。其高速NAND I/O速度超过3.2GB/s，比上一代产品提高了60%，同时在写入性能和读延迟方面的改善超过了20%，将加速用户的整体性能、可用性。据官方介绍，该技术目前正在备产中。
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