三星、SK海力士拟引入激光改进HBM晶圆加工技术

据韩媒报道，三星电子和SK海力士最近被证实正与合作伙伴共同开发技术，将HBM 的晶圆剥离（脱键合）工艺改为激光技术，目标是防止晶圆翘曲。

晶圆剥离是使用一种称为刀片的组件进行的。它被称为机械脱粘，因为制造半导体的主晶圆和载体晶圆用粘合剂粘合，然后用刀片分离。

就 HBM 而言，随着堆叠数量的增加（例如 12 层和 16 层），晶圆变得更薄，厚度小于 30 微米，如果使用刀片将其分离造成损坏的几率将变大。此外，随着蚀刻、抛光、布线等雕刻电路的工艺数量不断增加，超高温环境下对新型粘合剂的需求也是三星、SK海力士尝试使用激光代替现有机械方法的原因。

为了应对极端的工艺环境，需要更强的粘合剂，且由于无法使用机械方法去除，业界正在尝试引入激光技术，尝试稳定地分离主晶圆和载体晶圆，目前仍处于试验阶段。

三星电子和 SK 海力士正在考虑各种方法，包括准分子激光和紫外 (UV) 激光。激光剥离技术可能会从 HBM4 16层开始引入。