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三星Galaxy S24有望首次搭载LLW DRAM,能效可提高70%

编辑:AVA 发布:2023-11-30 16:28

据韩媒报道,三星电子半导体在其SNS“X”上发布了一段44秒的介绍LLW DRAM的广告视频。这是三星电子首次发布介绍LLW DRAM的帖子。视频表明,LLW DRAM并没有完​​全部署现有的DRAM,而是与CPU协同运行,并宣布计划将 LLW DRAM 应用到扩展现实 (XR)、智能手机、游戏和 PC。

业界分析,三星电子有望首次在 Galaxy S24 中安装创新内存 LLW(低延迟宽 I/O)DRAM,以支持“设备上人工智能”。Galaxy S24将于明年第一季度发布。

LLW(低延迟宽I/O)DRAM是专门用于设备上AI的DRAM。LLW DRAM是一种通过增加输入/输出端子(I/O)来比现有移动DRAM提高数据处理能力(带宽)的技术,当靠近处理器放置时,与普通DRAM相比,功率效率可提高约70% 。

目前尚不清楚三星电子具体何时使用 LLW DRAM,但目前看来,它很可能将首次安装在 Galaxy S24 中。

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股市快讯 更新于: 02-23 19:24,数据存在延时

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