三星Galaxy S24有望首次搭载LLW DRAM，能效可提高70%

据韩媒报道，三星电子半导体在其SNS“X”上发布了一段44秒的介绍LLW DRAM的广告视频。这是三星电子首次发布介绍LLW DRAM的帖子。视频表明，LLW DRAM并没有完​​全部署现有的DRAM，而是与CPU协同运行，并宣布计划将 LLW DRAM 应用到扩展现实 (XR)、智能手机、游戏和 PC。

业界分析，三星电子有望首次在 Galaxy S24 中安装创新内存 LLW（低延迟宽 I/O）DRAM，以支持“设备上人工智能”。Galaxy S24将于明年第一季度发布。

LLW（低延迟宽I/O）DRAM是专门用于设备上AI的DRAM。LLW DRAM是一种通过增加输入/输出端子（I/O）来比现有移动DRAM提高数据处理能力（带宽）的技术，当靠近处理器放置时，与普通DRAM相比，功率效率可提高约70% 。

目前尚不清楚三星电子具体何时使用 LLW DRAM，但目前看来，它很可能将首次安装在 Galaxy S24 中。