三星电子于2023欧洲三星铸造论坛上公布综合汽车工艺解决方案

近日，三星电子在其主办的2023年欧洲三星铸造论坛 (SFF)上推出了其先进且广泛的汽车工艺解决方案，从最先进的2纳米工艺到8英寸传统工艺。

三星电子与其客户及三星先进代工生态系统 (SAFE) 合作伙伴一起展示了最新的技术趋势及其针对欧洲市场量身定制的业务战略。

三星电子副总裁兼代工业务负责人 Siyoung Choi 博士表示，“三星代工正在推动下一代解决方案的创新，通过构建扩展的产品组合，以满足汽车客户不断增长的需求，特别是在电动汽车时代成为现实的情况下。”“我们正在加强准备，为客户提供跨各种解决方案的卓越服务，包括功率半导体、微控制器和用于自动驾驶的先进人工智能芯片。”

自今年9月以来，三星电子正在加强欧洲市场汽车客户在特种工艺方面的参与和合作，进一步巩固其作为行业领先代工合作伙伴的地位。

利用业界最先进的eMRAM开拓新应用

为了满足汽车市场最新发展的需求，三星正着手开发业界首款用于下一代汽车技术的5纳米 eMRAM。eMRAM 是用于汽车应用的下一代存储半导体，可实现高读写速度以及卓越的耐热性。

自 2019 年开发并量产业界首款基于28nm FD-SOI 1的eMRAM以来，三星电子一直在开发基于AEC-Q100 Grade 1的FinFET工艺的14纳米工艺。三星代工事业部计划到2024年增加 14纳米工艺，扩大其eMRAM产品组合，到2026年达到8纳米，到2027年达到5纳米。

与14纳米工艺相比，三星 8 纳米 eMRAM 具有将密度提高 30%、速度提高 33% 的潜力。

通过从尖端到传统的汽车工艺解决方案应对市场

该公司公布了其先进工艺路线图，强调计划到 2026 年完成汽车应用 2nm 工艺的量产准备。

三星电子还通过扩展其8英寸 BCD（双极-CMOS-DMOS）工艺产品组合，增强其满足客户需求的能力。BCD工艺在一颗芯片上结合了三种不同工艺技术的优点：双极 (B)、CMOS (C) 和 DMOS (D)，最常用于功率半导体的生产。

三星电子计划到2025年将其现有的130nm汽车BCD工艺扩展至90nm。与130nm工艺相比，90nm BCD工艺预计将带来芯片面积减少20%。

通过采用深沟槽隔离 (DTI) 技术，缩小每个晶体管之间的距离，最大限度地发挥功率半导体的性能，三星代工厂将能够将 120V（而不是 70V）的更大电压应用于更广泛的应用。这将使我们能够准备好在 2025 年之前提供实现 120V 至 130nm BCD 工艺的工艺开发套件 (PDK)。

通过先进封装联盟引领“超越摩尔”创新

三星通过与其SAFE合作伙伴以及内存、封装基板和测试领域的主要参与者合作，建立了多芯片集成 (MDI) 联盟。

作为与 20 个合作伙伴建立的全行业合作伙伴关系的一部分，三星正在引领 2.5D 和 3D 封装解决方案的开发，这些解决方案专为从汽车到高性能计算 (HPC) 的所有应用而定制。