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DRAM制程演进挤牙膏,通过混合键合迈入3D堆叠呼声高涨

编辑:Andrew 发布:2023-10-17 10:17

据韩媒报道,有预测认为,随着DRAM技术发展逐渐濒临瓶颈,未来DRAM制程可能引进混合键合技术,以提高DRAM的集成度,量产64Gb以上的DRAM产品。

当前存储业者针对DRAM产品研发,主要投入减少电路线宽、提高集成度等,但随着电路线宽进入10nm级,电流泄漏等技术问题开始显现。因此,将DRAM像NAND Flash一样向上堆叠的3D DRAM技术,开始受到业界关注。

信息显示,新一代封装技术混合键合技术,通过铜对铜(Cu-Cu)来连接晶片,输入与输出速度(I/O)可望大幅增加,有望助力实现3D DRAM。

不过也有分析认为,DRAM与环绕式闸极(GAA)、NAND不同,难以采用3D结构,透过4F Square单元结构改善晶粒面积成功率较高。

4F Square DRAM采用垂直向上的电晶体(transistor)结构,相较既有的6F Square单元结构,晶粒面积将有望缩小为原本30%左右。据悉,三星当前以4F Square为主力,传已于半导体研究所内部成立研发小组。

SK海力士和美光则致力研发3D DRAM,特别是因3D DRAM可不使用极紫外光(EUV)设备,对美光较为有利。

近期SK海力士也发表3D DRAM新一代通道材料「IGZO」,由铟(In)、镓(Ga)、氧化锌(ZnO)组成,具备高稳定性及低待机功耗,适合用于DRAM单元电晶体,有望加速3D DRAM的研发。

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