编辑:Andrew 发布:2023-10-17 10:17
据韩媒报道,有预测认为,随着DRAM技术发展逐渐濒临瓶颈,未来DRAM制程可能引进混合键合技术,以提高DRAM的集成度,量产64Gb以上的DRAM产品。
当前存储业者针对DRAM产品研发,主要投入减少电路线宽、提高集成度等,但随着电路线宽进入10nm级,电流泄漏等技术问题开始显现。因此,将DRAM像NAND Flash一样向上堆叠的3D DRAM技术,开始受到业界关注。
信息显示,新一代封装技术混合键合技术,通过铜对铜(Cu-Cu)来连接晶片,输入与输出速度(I/O)可望大幅增加,有望助力实现3D DRAM。
不过也有分析认为,DRAM与环绕式闸极(GAA)、NAND不同,难以采用3D结构,透过4F Square单元结构改善晶粒面积成功率较高。
4F Square DRAM采用垂直向上的电晶体(transistor)结构,相较既有的6F Square单元结构,晶粒面积将有望缩小为原本30%左右。据悉,三星当前以4F Square为主力,传已于半导体研究所内部成立研发小组。
SK海力士和美光则致力研发3D DRAM,特别是因3D DRAM可不使用极紫外光(EUV)设备,对美光较为有利。
近期SK海力士也发表3D DRAM新一代通道材料「IGZO」,由铟(In)、镓(Ga)、氧化锌(ZnO)组成,具备高稳定性及低待机功耗,适合用于DRAM单元电晶体,有望加速3D DRAM的研发。
存储原厂 |
三星电子 | 63300 | KRW | -0.78% |
SK海力士 | 270500 | KRW | -2.87% |
铠侠 | 2380 | JPY | -6.59% |
美光科技 | 122.290 | USD | +0.45% |
西部数据 | 66.080 | USD | +0.46% |
闪迪 | 46.410 | USD | +0.43% |
南亚科技 | 48.45 | TWD | -4.25% |
华邦电子 | 19.15 | TWD | -3.04% |
主控厂商 |
群联电子 | 478.0 | TWD | -3.24% |
慧荣科技 | 74.810 | USD | +1.11% |
联芸科技 | 41.45 | CNY | -1.61% |
点序 | 52.3 | TWD | -3.15% |
品牌/模组 |
江波龙 | 83.65 | CNY | -2.51% |
希捷科技 | 149.440 | USD | -1.65% |
宜鼎国际 | 242.5 | TWD | -1.22% |
创见资讯 | 120.0 | TWD | +4.80% |
威刚科技 | 93.6 | TWD | -2.80% |
世迈科技 | 20.870 | USD | +3.32% |
朗科科技 | 23.77 | CNY | -1.65% |
佰维存储 | 64.97 | CNY | -2.01% |
德明利 | 121.38 | CNY | +2.60% |
大为股份 | 19.15 | CNY | -4.35% |
封测厂商 |
华泰电子 | 38.20 | TWD | -2.92% |
力成 | 134.5 | TWD | -1.47% |
长电科技 | 33.23 | CNY | -0.89% |
日月光 | 147.0 | TWD | +2.08% |
通富微电 | 25.09 | CNY | -1.18% |
华天科技 | 9.89 | CNY | -1.98% |
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