编辑:AVA 发布:2023-06-30 15:49
据韩媒报道,随着DRAM的尺寸限制问题的出现,3D DRAM等新一代存储芯片的研究正在积极进行。SK海力士介绍了适合3D DRAM的新一代通道材料IGZO。
SK 海力士的TL Hwayoung Kim近日于演讲中表示:“此前,半导体业界为了克服尺寸限制,将晶体管从平面转换为3D,需要向3D架构转变。”
存储芯片企业开始新一代开发的原因是DRAM的微细化局限性。现有的DRAM开发一直是通过减少电路线宽,提高晶体管集成度的方式进行的。但是,随着电路线宽缩小到10nm以下,面临电容功率暴露等物理限制。
3D DRAM是一种存储半导体,其概念是将DRAM水平放置后垂直堆叠。如果说传统 DRAM 的结构是晶体管集成在一个平面上,那么 3D DRAM 则将晶体管堆叠为 n 层。因此可以分散晶体管。采用这种结构可以扩大晶体管之间的间隙,减少泄漏电流和干扰等。
虽然有这些优点,但开发需要多种努力。因为是与现有DRAM不同的3D形态结构,所以需要全方位的材料、设备开发。SK海力士提出了将IGZO作为3D DRAM的新一代通道材料。IGZO是由铟(In)、镓(Ga)、氧化锌(ZnO)组成的金属氧化物材料。
IGZO大致分为非晶质(a:Amamorphous)-IGZO和晶化(c:Crystallization)。SK海力士正在研究的领域是后者。c-IGZO是一种物理、化学稳定的材料,在半导体工艺过程中可保持均匀的结构。
Hwayoung Kim表示,“IGZO 的最大优势是其低待机功耗,这种特点适合要求长续航时间(停留时间)的DRAM芯晶体管。通过调节In、Ga、ZnO等三个成分的组成比,很容易实现。”
存储原厂 |
三星电子 | 54300 | KRW | -2.16% |
SK海力士 | 186000 | KRW | +4.79% |
铠侠 | 1825 | JPY | -0.44% |
美光科技 | 80.720 | USD | +3.79% |
西部数据 | 44.690 | USD | +1.68% |
闪迪 | 34.400 | USD | +5.55% |
南亚科 | 35.65 | TWD | -0.97% |
华邦电子 | 15.95 | TWD | +1.27% |
主控厂商 |
群联电子 | 454.5 | TWD | +1.56% |
慧荣科技 | 53.510 | USD | +6.32% |
联芸科技 | 41.35 | CNY | +1.95% |
点序 | 55.0 | TWD | -0.72% |
国科微 | 68.93 | CNY | -0.68% |
品牌/模组 |
江波龙 | 77.91 | CNY | +3.33% |
希捷科技 | 93.070 | USD | +3.40% |
宜鼎国际 | 238.5 | TWD | +2.36% |
创见资讯 | 101.5 | TWD | +1.50% |
威刚科技 | 85.7 | TWD | +2.39% |
世迈科技 | 17.450 | USD | +3.19% |
朗科科技 | 25.09 | CNY | +4.24% |
佰维存储 | 62.33 | CNY | +1.32% |
德明利 | 127.50 | CNY | +0.73% |
大为股份 | 14.18 | CNY | +2.09% |
封测厂商 |
华泰电子 | 32.10 | TWD | +0.63% |
力成 | 109.0 | TWD | +0.46% |
长电科技 | 33.43 | CNY | +1.24% |
日月光 | 139.0 | TWD | +2.58% |
通富微电 | 25.62 | CNY | +0.99% |
华天科技 | 9.28 | CNY | -5.31% |
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