东进半导体开发高NA EUV光刻胶：最快2025年上半年完成

据韩媒报道，东进半导体正着手开发用于“高NA EUV”的光致抗蚀剂（photoresist，PR）。高NA EUV被称为下一代半导体曝光设备，被认为是2nm以下的超精细工艺必不可少的设备。

东进半导体近期制定了高NA EUV PR发展路线图。目标是今年下半年开始研发，最快2025年上半年完成技术开发。计划在荷兰半导体设备公司 ASML 大规模生产高 NA EUV 设备之前完成 PR 开发。

PR是在芯片上绘制半导体电路的曝光过程中的关键材料。涂在晶圆上经过曝光后，特性发生变化，成为电路图形的基础。EUV 的 PR 必不可少，尤其是在绘制高分辨率图案时。迄今为止，都是从日本等海外进口，但东进半导体去年首次成功实现了EUV PR的国产化，目前正为三星电子供货。

此次挑战的新品是为“高NA EUV”设备量身打造的下一代EUV PR。High NA EUV是将表示聚光能力的透镜数值孔径(NA)从0.33提高到0.55的装置，是能够绘制超精细电路图案的关键装置。三星电子、SK海力士、台积电、英特尔等都决定从ASML引进这款设备。ASML是全球唯一一家可以提供EUV设备和下一代高NA EUV设备的公司。

ASML计划明年出货其首款高 NA EUV 设备。据了解，它将于2026-2027年量产。东进半导体计划在高 NA EUV 市场全面开花之前，通过完成相关 PR 产品的商业化来抢占市场。EUV PR市场目前由Shin-Etsu Chemical、JSR 和 TOK 等日本公司占领，他们正在为高NA EUV开发PR。

东进半导体相关人员表示：“材料开发商必须比零部件和设备公司至少提前六个月做出反应，以增加他们的材料被半导体制造商或设备公司采用的可能性。只要有必要，我们将确保通过客户和合作伙伴测试机会，并运行各种流程来开发针对高 NA EUV 设备优化的 PR。”