紫光集团展出8Gb DDR4 DRAM存储器晶圆

在8月14日召开的第八届中国电子信息博览会(CITE 2020)上，紫光集团以“从芯到云 赋能新基建”为主题，携旗下系列产品亮相，其中包括长江存储128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070以及由西安紫光国芯开发的8Gb DDR4 DRAM存储器晶圆。

资料显示，该款存储器晶圆是业内首款支持X32 IO规格并兼容JEDEC的DDR4，单颗Die芯片带宽高达10.4GB/s，支持TSV封装可扩展到16Gb容量，内嵌ECC纠错功能，提高可靠性。

根据紫光国芯官网资料，相比DDR3，DDR4通过提高核心频率和Bank Group数量，大幅提高了性能，支持更大容量。同时做到供电电压更低，因此功耗更低。另外DDR4增加了DBI（Data Bus Inversion）、CRC（Cyclic Redundancy Check）、CA parity等功能，让DDR4内存在更快速与更省电的同时亦能够增强信号的完整性、改善数据传输及储存的可靠性。

除紫光国芯之外，长鑫存储也是国产内存代表厂商之一，已经于今年2月份正式上线DRAM产品，包括8Gb DDR4芯片、8GB DDR4内存条、2GB/4GB LPDDR4X产品，均符合国际通行标准规范。

长鑫存储表示，相较于上一代DDR3芯片，DDR4拥有更快的数据传输速率，更稳定的性能和更低的功耗，将广泛用于目前主流市场，包括电脑、台式PC、手机、平板、电视、人工智能等消费类电子产品。