未来十年投资16.8亿美元，韩国加速韩企技术研发和导入EUV等先进设备

2018年下半年半导体开始进入周期性下滑通道，2019年半导体更是感受到来自产业的挑战。其中韩国5月出口下降9.4%至459亿美元，已连续7个月同比下滑，5月半导体出口更是下降了30.5%至75亿美元。

面对产业的挑战，近期，韩国方面再次强调，要在未来10年里投资超过1兆韩元，为下一代半导体增长做准备，并公布了其详细投资计划，主要是聚焦智能半导体、微处理设备制造技术、系统半导体和高科技设备等，提高整个半导体生态系统商业化的进程。

韩国未来10年投资计划

单位：亿韩元

韩国方面认为，工业、和信息、通信技术推动下的半导体产业已发展了10年，从2019年到2029年的下一代半导体产业将以智能为推动力，韩国将总投资1.96兆韩元，其中工业部将花费5216亿韩元，将用于未来的半导体技术商业化，剩下的将用于半导体技术的研发，该计划最早在2020年4月进行。

投资2706亿韩元，应对半导体大量且多元化需求

随着物联网、5G、人工智能等技术的发展，半导体应用衍生出大量且多样的市场需求，比如智能机器人、智能音箱、智能家居、智能医疗、智能汽车等，这些市场需求还在持续不断的扩大。

据市场数据统计，2019年智能音箱出货量有望突破2亿台，2020年物联网连接设备数量全球连接设备数量将超过500亿台，到2025年无人汽车将创造千万亿美元的产值。

韩国产业部计划将向智能型半导体等设计领域投资2706亿韩元，包括低功耗SoC系统芯片元件和电路技术、车辆用高分辨率系统芯片、心电图监视传感器等多种系统半导体的开发，用于满足未来不断增长的需求。

同时，在不断升温的市场竞争下，韩国除了加强半导体设计领域的投资，将重视中小企业的发展，提高整体企业水平，缩短半导体技术与发达国家之间的差距。

投资2511亿韩元，用于技术研发和EUV、ALE、3D封装设备

韩国计划投资2511亿韩元用于制造设备，以应对工艺微缩，以及超小型化发展，包括投资原子层刻蚀设备、极紫外光刻（EUV）装备、3D封装设备等。

什么是原子层刻蚀 (ALE)

原子层刻蚀 (ALE) 是一种用于去除超薄材料层的工艺，多用于制造先进芯片，将在10nm / 7nm甚至更小的技术领域发挥重要作用，致力于应用于先进逻辑处理器和存储器生产制造的新一代ALE技术。

什么是极紫外光刻（EUV）

EUV采用波长10-14nm的极紫外光作为光源的光刻，相较于将蚀刻液喷洒在半导体表面，利用蚀刻液与半导体基底化学反应的DUV，蚀刻的各向异性明显改善，对于精确度要求较高的集成电路，EUV使电路分辨率和良率得到极大提升。

导入EUV量产，三星与台积电的竞争

台积电在晶圆代工领域依然占据着主导地位，在其7nm+首次引入极紫外光刻EUV设备投入量产，升级版6nm在2020年第一季度试产，5nm在2020年底之前量产，3nm有望在2021年试产或2022年量产。此外，日前台积电还宣布启动2nm工艺的研发，是全球第一个宣布开始研发2nm工艺的厂商，预计2024年投入生产。

来源：samsung

三星也在加快脚步，三星在2018年完成7nm的研发，并用于量产自家的Exynos处理器，正计划在2019年下半年实现7nm EUV工艺量产，2021年则会量产更先进的3nm工艺。

为了提高在市场上的竞争力，三星曾宣布将在2030年内总投资133兆韩元，加强系统LSI和晶圆代工业务方面的竞争力，其中55%投入到技术研发，45%投入到晶圆制造，旨在2030年成为存储领域和逻辑芯片领域的全球领导者。

1Znm后时代，三星与美光的DRAM竞争

三星早在3月份率先宣布开发出了1Znm 8Gb DDR4，并将在下半年量产，生产率可提高20%以上，还暂定11月开始采用EUV技术量产1Znm DRAM，但初期投入量不大。其竞争对手，美光DRAM也在向1Znm技术发展，刚刚竣工的广岛B2新工厂预计将在2019年底量产1Znm LPDDR4。

来源：Micron

同时，美光也在持续评估EUV工艺带来的DRAM成本效益，从2019年开始评估从1Znm到1γ技术的过程中，会在合适的时候用上EUV。同时，美光计划对日本广岛工厂进行第二阶段的投资计划，新建F工厂用于1αnm、1βnm DRAM工艺的发展，但还未确定具体竣工时间。

随着半导体技术的不断迭代更新，芯片尺寸越做越小。当前处理器以7nm为主，且正在向5nm或更小的3nm发展，DRAM技术也即将进入1Znm后时代，NAND Flash技术进入128层堆叠后，所面临的挑战也将更大，这些需要更加精密的制造设备才能完成，韩国此举将在三星、SK海力士半导体技术发展过程中起到关键的作用。