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NAND扩产大过需求,明年半数存储厂恐陷入亏损

编辑:Helan 发布:2018-10-24 09:32

NAND Flash价格于2018年持续下探,然而全球各大NAND Flash原厂仍持续投入产能军备竞赛,2019年新增产能规模将大于2018年,市场供给将大于需求,相较于2018年NAND Flash累积跌幅已达5成,业界预期,2019年跌幅恐将进一步扩大,甚至将有半数的NAND上游制造厂将面临亏损压力。

由于目前全球NAND Flash原厂仍有6~7家,各家市占竞争态势依然激烈,并持续迈入新一代技术制程,包括三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等均已发布了96层3D NAND技术,业界预计,2018年NAND Flash累积跌幅已逾5成,96层3D NAND将在2019年上半进入规模化量产,市场价格将进一步再滑落。

此外,各家原厂仍在扩充新厂规模与生产量,包括三星已开始投入新建西安工厂二期工程,东芝除了新工厂Fab6积极投产96层3D NAND,也即将继续投建新厂,SK海力士清州M15厂举行竣工仪式、以及英特尔大连二期工厂等都预计将投产96层3D NAND,至于长江存储的武汉基地也开始逐步生产,预计满载产能将可达到单月15万片。

相较于NAND Flash竞相扩产,2019年三星、SK海力士与美光等3大DRAM厂新产能增加有限,3大原厂应不会破坏目前市场结构,以延续获利的好成绩,加上全球资料中心需求仍强劲,平均成长率约达1成,尤其是大陆市场将可达到15%~20%成长率,加上手机搭载规格提升,以及来自于电竞、IoT、车载等新需求动能持续,整体需求仍会成长,预期2019年DRAM价格可能是持平或是小跌的态势。

由于每家NAND Flash原厂都以5万、10万或逾10万的速度进行扩产,虽然市场需求端也会明显成长,但供给端的扩产情况大于需求端成长,产业发展令人忧心,价格走势也较为保守。

预估,2019年NAND Flash价格相对DRAM较不稳定,跌幅恐扩大,因此若仅做NAND的原厂,2019年营运将会比较辛苦,甚至NAND Flash 上游厂商可能有超过5成将无法获利,但另一方面,NAND Flash持续跌价,将可望刺激市场需求量的快速成长。

市场预估,第4季在短期内DRAM价格较高峰下滑,尤其是英特尔(Intel)CPU供货不确定性为存储器市场带来干扰,但DRAM价格效应有助于推升搭载容量与刺激需求回笼。

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股市快讯 更新于: 04-15 03:57,数据存在延时

存储原厂
三星电子83700KRW-0.48%
SK海力士187400KRW-0.53%
美光科技122.52USD-3.91%
英特尔35.69USD-5.16%
西部数据72.06USD-2.49%
南亚科71.8TWD+1.7%
主控供应商
群联电子748TWD+3.74%
慧荣科技75.28USD-3.24%
美满科技70.16USD-1.92%
点序84.6TWD+0.48%
国科微46.58CNY-0.68%
品牌/模组
江波龙87.11CNY+1.24%
希捷科技85.19USD-4.04%
宜鼎国际313.5TWD-0.48%
创见资讯94.5TWD+1.18%
威刚科技113TWD+4.15%
世迈科技19.54USD+0.51%
朗科科技25.47CNY-1.28%
佰维存储44.42CNY+0.73%
德明利121.97CNY+2.69%
大为股份11.75CNY-2.33%
封装厂商
华泰电子67.7TWD-2.17%
力成185.5TWD+1.09%
长电科技25.53CNY+0.55%
日月光160.5TWD+0.94%
通富微电21.34CNY+1.57%
华天科技7.57CNY+0.40%