编辑:Helan 发布:2018-10-24 09:32
NAND Flash价格于2018年持续下探,然而全球各大NAND Flash原厂仍持续投入产能军备竞赛,2019年新增产能规模将大于2018年,市场供给将大于需求,相较于2018年NAND Flash累积跌幅已达5成,业界预期,2019年跌幅恐将进一步扩大,甚至将有半数的NAND上游制造厂将面临亏损压力。
由于目前全球NAND Flash原厂仍有6~7家,各家市占竞争态势依然激烈,并持续迈入新一代技术制程,包括三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等均已发布了96层3D NAND技术,业界预计,2018年NAND Flash累积跌幅已逾5成,96层3D NAND将在2019年上半进入规模化量产,市场价格将进一步再滑落。
此外,各家原厂仍在扩充新厂规模与生产量,包括三星已开始投入新建西安工厂二期工程,东芝除了新工厂Fab6积极投产96层3D NAND,也即将继续投建新厂,SK海力士清州M15厂举行竣工仪式、以及英特尔大连二期工厂等都预计将投产96层3D NAND,至于长江存储的武汉基地也开始逐步生产,预计满载产能将可达到单月15万片。
相较于NAND Flash竞相扩产,2019年三星、SK海力士与美光等3大DRAM厂新产能增加有限,3大原厂应不会破坏目前市场结构,以延续获利的好成绩,加上全球资料中心需求仍强劲,平均成长率约达1成,尤其是大陆市场将可达到15%~20%成长率,加上手机搭载规格提升,以及来自于电竞、IoT、车载等新需求动能持续,整体需求仍会成长,预期2019年DRAM价格可能是持平或是小跌的态势。
由于每家NAND Flash原厂都以5万、10万或逾10万的速度进行扩产,虽然市场需求端也会明显成长,但供给端的扩产情况大于需求端成长,产业发展令人忧心,价格走势也较为保守。
预估,2019年NAND Flash价格相对DRAM较不稳定,跌幅恐扩大,因此若仅做NAND的原厂,2019年营运将会比较辛苦,甚至NAND Flash 上游厂商可能有超过5成将无法获利,但另一方面,NAND Flash持续跌价,将可望刺激市场需求量的快速成长。
市场预估,第4季在短期内DRAM价格较高峰下滑,尤其是英特尔(Intel)CPU供货不确定性为存储器市场带来干扰,但DRAM价格效应有助于推升搭载容量与刺激需求回笼。
存储原厂 |
三星电子 | 80900 | KRW | +0.62% |
SK海力士 | 191800 | KRW | +0.95% |
美光科技 | 109.410 | USD | +1.82% |
英特尔 | 31.350 | USD | +0.80% |
西部数据 | 68.260 | USD | +2.66% |
南亚科 | 58.1 | TWD | -4.13% |
华邦电子 | 23.45 | TWD | -1.88% |
主控厂商 |
群联电子 | 532 | TWD | -4.83% |
慧荣科技 | 70.080 | USD | +2.04% |
美满科技 | 65.720 | USD | +2.70% |
点序 | 67.2 | TWD | -0.88% |
国科微 | 51.94 | CNY | +0.37% |
品牌/模组 |
江波龙 | 80.72 | CNY | +0.93% |
希捷科技 | 103.680 | USD | -0.27% |
宜鼎国际 | 282.5 | TWD | -3.25% |
创见资讯 | 95.8 | TWD | -2.84% |
威刚科技 | 92.3 | TWD | -3.25% |
世迈科技 | 23.170 | USD | +1.80% |
朗科科技 | 17.05 | CNY | -0.64% |
佰维存储 | 52.46 | CNY | -1.35% |
德明利 | 77.11 | CNY | +0.47% |
大为股份 | 9.23 | CNY | +1.32% |
封测厂商 |
华泰电子 | 49.4 | TWD | -4.82% |
力成 | 189 | TWD | +2.72% |
长电科技 | 32.20 | CNY | +0.34% |
日月光 | 155.5 | TWD | -9.86% |
通富微电 | 21.91 | CNY | +1.39% |
华天科技 | 8.26 | CNY | +0.61% |
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