IBM为19TB NVMe SSD引入MRAM

据外媒报道，IBM正在摆脱传统需要电容支持的DRAM，转而推进面向下一代闪存系统的磁阻存储器（MRAM）技术。AnandTech指出，MRAM是当前市面上速度最快、耐用性最高的非易失性存储器之一。只是与NAND闪存（甚至英特尔的3D XPoint存储器）相比，其密度相对更加受限。

好消息是，IBM与格罗方德（Global Foundries）达成了合作，在后者22nm FD-SOI工艺基础上制造MRAM 。正因如此，使得MRAM芯片供应商Everspin将产能提升到了新的高度。

目前Everspin正在生产256Mb芯片，但有望在今年年底前开始1Gb芯片的出样。

IBM的FlashSystem设备，使用了类似SSD的定制外形、部署了系统级掉电防护功能、以及FPGA主控。

借助新系统，该公司还能将它转变成标准的2.5英寸U.2驱动器。

但要为每个驱动器部署超级电容，来保持FPGA主控在掉电后有足够长的时间运行并刷新其DRAM写缓存的话，显然是不现实的。

值得庆幸的是，MRAM的非易失性，可以彻底消除对大型超级电容器的需求。

AnandTech 指出，IBM FlashSystem可拥有高达19.2TB的64层TLC NAND存储空间，并借助20通道NAND接口和PCIe 4.0 x4主机接口，在双端口2+2模式下运行。