相变化存储器名称有很多种，包括PCM(Phase Change Memory)、PRAM(Phase-change RAM)等，全球的相变化存储器分为3大阵营，包括恒忆(Numonyx)／英特尔(Intel)、三星电子(Samsung Electronics)、旺宏／IBM等，其中恒忆和旺宏都称为PCM，三星的产品则称为PRAM。
相变化存储器最早发明人为S. R. Ovshinsky，于1966年代表美国公司Energy Conversion Devices(ECD)提出1篇美国专利中表示，在硫属化合物(Chalcogenide)中，结晶相与非晶相之间的光学性质及导电度都有显著的不同，而这两项间可进行快速、可逆且稳定的转换，适合做开关(switching)及记忆(memory)之用。
相变化存储器需要新材料，也就是硫属化合物即锗硒锑GST，在结晶态与非结晶态这两种高、低不同的相变化(Phase Change)区分中来当作0与1，进而做为存储器用途。与现有的存储器NAND Flash和DRAM相比较，仍是各有幽缺点。
日前三星宣布将相变化存储器用在智能型手机用的MCP(Multi-Chip Package)芯片，目的是用来取代NOR Flash角色，目前推出512Mb产品，且计划在年底前大量导入手机市场，而三星这样的大动作，也宣示相变化存储器不再只是纸上谈兵的下世代存储器技术，是真正可以导入终端市场的技术。
再者，恒忆也宣布推出第2款新的相变化存储器，并成立新的副品牌Omneo，主要是针对需要量身订做的客户来服务，应用范围包含有线及无线通讯、消费电子产品、个人计算机(PC)和嵌入式应用产品等，也是积极将相变化存储器导入市场的另一案例。
