NAND Flash技术从最早期的SLC(Single-Level Cell)世代，1个记忆体储存单元(cell)存放1位元(bit)的资料，到MLC(Multi-Level Cell)中，1个记忆体储存单元存放2位元，一直到2009年TLC(Triple-Level Cell)时代，1个记忆体储存单元可存放3位元。驱动NAND Flash价格不断下降，也使得快闪记忆卡，尤其是小型记忆卡microSD的容量越来越大。
以4GB容量的小型记忆卡microSD为例，目前普遍作法都是用2颗16Gb晶片去堆叠，在堆叠的过程中，良率会降低，但如果用1颗32Gb的TLC晶片去生产4GB容量的小型记忆卡，成本结构会较划算，因此三星电子(Samsung Electronics) 32Gb的TLC晶片量产，有助于扩大小型记忆卡市场的市占率。
尤其是三星的32奈米TLC晶片量产后，生产4GB容量的小型记忆卡microSD只要用1颗32Gb的TLC晶片即可，但其他竞争对手还在用2颗16Gb晶片去堆叠，良率自然不如三星，有助于三星在小型记忆卡上大抢市占率，而2009年在microSD产品上一直拿不足货的下游厂，2010年可趁势扳回一城。
