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TLC Nand Flash 技术

编辑:Helan 发布:2009-12-07 10:54

NAND Flash技术从最早期的SLC(Single-Level Cell)世代,1个记忆体储存单元(cell)存放1位元(bit)的资料,到MLC(Multi-Level Cell)中,1个记忆体储存单元存放2位元,一直到2009年TLC(Triple-Level Cell)时代,1个记忆体储存单元可存放3位元。驱动NAND Flash价格不断下降,也使得快闪记忆卡,尤其是小型记忆卡microSD的容量越来越大。
以4GB容量的小型记忆卡microSD为例,目前普遍作法都是用2颗16Gb晶片去堆叠,在堆叠的过程中,良率会降低,但如果用1颗32Gb的TLC晶片去生产4GB容量的小型记忆卡,成本结构会较划算,因此三星电子(Samsung Electronics) 32Gb的TLC晶片量产,有助于扩大小型记忆卡市场的市占率。
尤其是三星的32奈米TLC晶片量产后,生产4GB容量的小型记忆卡microSD只要用1颗32Gb的TLC晶片即可,但其他竞争对手还在用2颗16Gb晶片去堆叠,良率自然不如三星,有助于三星在小型记忆卡上大抢市占率,而2009年在microSD产品上一直拿不足货的下游厂,2010年可趁势扳回一城。

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股市快讯 更新于: 07-27 06:01,数据存在延时

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