编辑: 发布:2009-02-20 13:57
闪存(Flash Memory)是非掉电易失性内存的一种,具有关掉电源仍可保存数据的优点,同时又具备掉电易失性内存可重复读写且读写速度快、单位体积内可储存最多数据量,以及低功耗特性等优点,故是现阶段行动储存装置的首选。近年来由于手机、PDA、MP3、DSC等应用系统的带动,Flash Memory的需求量和容量也有了跳跃式的成长。
Flash Memory的技术特性
Flash Memory的标准物理结构,称之为基本位(cell);一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide),而Flash Memory的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐,使得Flash Memory可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式;就算在不提供电源给内存的环境下,也能透过此浮闸,来保存数据的完整性。
Flash Memory芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash Memory采用内部闭合电路,这样不仅使电子区能够作用于整个芯片,还可以预先设定“区块”(Block)。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净,以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节,而Flash Memory每次可擦写一块或整个芯片。Flash Memory的工作速度大幅领先于传统EEPROM芯片。
从技术面观之,根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell Type以及Operation Type两种,后者依功能别又可区分为Code Flash(储存程序代码)以及Data Flash(储存一般数据);其中Code Flash驱动方式有NOR及DINOR,而Data Flash的驱动方式则有NAND及AND.
存储原厂 |
三星电子 | 66200 | KRW | -0.30% |
SK海力士 | 270500 | KRW | +0.56% |
铠侠 | 2546 | JPY | +0.43% |
美光科技 | 109.830 | USD | +0.56% |
西部数据 | 69.320 | USD | +3.37% |
闪迪 | 43.000 | USD | +3.97% |
南亚科技 | 43.00 | TWD | -0.12% |
华邦电子 | 17.40 | TWD | -1.14% |
主控厂商 |
群联电子 | 522 | TWD | +0.58% |
慧荣科技 | 73.200 | USD | +1.86% |
联芸科技 | 42.12 | CNY | +0.77% |
点序 | 53.2 | TWD | +0.76% |
品牌/模组 |
江波龙 | 86.00 | CNY | +5.29% |
希捷科技 | 152.760 | USD | +4.21% |
宜鼎国际 | 226.5 | TWD | +0.44% |
创见资讯 | 89.5 | TWD | -0.56% |
威刚科技 | 91.7 | TWD | +0.99% |
世迈科技 | 24.900 | USD | +1.84% |
朗科科技 | 24.38 | CNY | +1.16% |
佰维存储 | 64.56 | CNY | +2.07% |
德明利 | 84.32 | CNY | +0.50% |
大为股份 | 17.03 | CNY | +2.59% |
封测厂商 |
华泰电子 | 39.60 | TWD | -1.00% |
力成 | 138.0 | TWD | -0.72% |
长电科技 | 34.69 | CNY | +1.97% |
日月光 | 154.5 | TWD | +0.65% |
通富微电 | 26.30 | CNY | +1.62% |
华天科技 | 10.27 | CNY | -0.10% |
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