联发科新制程抢TD-LTE大饼

联发科副总经理庄承德昨（17）日出席海峡两岸TDD 4G技术发展与合作高峰论坛时表示，今年将会推出采用28纳米制程生产的多模LTE ，全力抢攻LTE大规模商用化的市场。

庄承德昨天以「TD-LTE」多模多频芯片方案展望为题，发表专题演讲，总经理谢清江也低调出席。

联发科前年底至去年即曾对外展示LTE相关芯片，但产品面暂不成熟。庄承德表示，在2012年至2013年上半年，联发科已以多套片方案因应早期TD-LTE的终端研发需求，下半年则会以28纳米高集成度的方案，面对LTE大规模商用化的市场。

他指出，联发科的产品会采用低功耗28纳米芯片技术，支持GSM、EDGE、TD-HSPA、TD-LTE、FDD-LTE等5种制式，还会提供SDIO 3.0、USB 3.0、USIM等周边连接能力。

LTE市场备受期待，庄承德不讳言，5模10频的TD智能型手机复杂度颇高，有赖芯片、软件、模块、天线等多方面技术突破。

在短期营运面部分，联发科仍积极冲刺新产品，但第1 季因农历春节因素，加上市场进行库存调整，法人预期，联发科本季营运将续低于去年第4季，智能型手机芯片出货量约降到4,000万套。