前有部分渠道DDR价格拉涨,近日部分NAND Flash报价上调5%~6%,据CFM闪存市场消息显示,部分原厂试图更大范围的调涨NAND价格,但目前市场承接意愿低迷,短期涨价落地较为困难。
据CFM数据显示,DRAM需求方面,预计2023年DRAM bit需求增长5%至2000亿Gb。DRAM供应方面,占据95%市场的三星、SK海力士、美光进行积极减产,显著削减全球DRAM的供应量,使今年DRAM Bit供应转负远低于需求增长。
此次行情倒挂严重持续时间过久,令渠道品牌难以坐以待毙,近日渠道部分内存产品出现联合拉价的举措,若能一直维持拉涨势头,部分渠道内存产品有望局部见底,不过整体行情还是以实际需求定音。
短期部分渠道行情的波动虽不足以说明大行情反转,却是市场逐渐达成底部共识的必经之路,是存储周期向前推进的积极信号。
总体来看,存储市场Q1至暗时期已过,好转的预期将会越来越强烈。
本周存储现货行情延续调整,上游资源NAND Flash和部分DDR颗粒价格下调。128Gb/256Gb/512Gb/1Tb TLC NAND Flash Wafer分别降至1.12/1.00/1.48/3.06美元,DDR4 16Gb eTT/8Gb 3200/8Gb eTT分别调整至2.50/1.83/1.23美元,DDR4 16Gb 3200和DDR4 4Gb eTT不变。
本周存储行情方面, NAND Flash Wafer和DDR颗粒价格波幅明显大于成品SSD和内存条价格,渠道和行业SSD价格维持不变,渠道内存条价格整体小幅调整。
存储上游原厂库存高企,上游资源价格难以止跌,尤以NAND竞价出货动作频频。淡季整体市场围观氛围渐浓,基本维持按需流动。存储渠道和行业市场加速出货,叠加成本持续走低,SSD和内存条价格仍在延续小幅调整。
存储上游库存影响持续消化中,一季度或成全年最淡低点,随着上游资源跌破现金成本,原厂亏损将进一步扩大。不过对于下游厂商而言,经历半年库存调整后,目前库存已降至合理水平,日常以快进快出、控成本跑流速为主,为淡季需求有限下的生存之道。
从近两周的存储行情来看,上游DDR颗粒降幅收敛,SSD和内存条价格调整也以大容量产品居多,进入3月后存储行情或将趋于小幅调整。
上游资源方面,Flash Wafer 1Tb/512Gb/256Gb/128Gb分别降至3.62/1.78/1.24/1.30美元,256Gb和128Gb Flash Wafer的倒挂价差有所收敛。DDR暂缓下跌,DDR4 16Gb 3200/16Gb eTT/8Gb 3200/8Gb eTT/4Gb eTT分别为3.10/2.85/2.04/1.42/0.75美元。
上游1Tb/512Gb Flash Wafer价格下调至3.65/1.80美元,DDR全面下调,16Gb 3200/16Gb eTT/8Gb 3200/8Gb eTT/4Gb eTT下调至3.10/2.90/2.05/1.43/0.75美元。
2月初存储现货市场延续调整,本周上游资源Flash wafer和DDR颗粒价格继续下调,渠道流通情况较上周略有好转。不过上游DDR价格跌跌不休尚未见底,原厂内存条价格下调,导致现货市场的内存条行情持续承压。
节后首周,国内市场流通还未恢复常态化,而过年期间海外需求仍然不容乐观,在竞价出货的压力下,渠道SSD及内存条价格普遍下调。
疫情三年奔波在外的异乡人返乡心切,农历新年前最后一周,春运大潮提前拉开序幕。本周存储现货市场流通表现平淡,价格整体仍呈现下降趋势。