SiS750GT SSD控制芯片
SiS750GT SSD控制芯片

支持2D/3D TLC NAND，SATA 3.0 6Gb/s接口，读取与写入性能分别550MB/s和500MB/s。

矽统科技 2018-06-01
SiS810 SSD控制芯片
SiS810 SSD控制芯片

采用PCIe Gen3高速接口，读写速度1600MB/s及1200MB/s。

矽统科技 2018-06-01
Phison PS5012-E12系列
Phison PS5012-E12系列

采用28nm制程，搭载3D NAND Flash，PCIe Gen3x4 NVMe,最大容量可达8TB。

群联 2018-04-08
StorArt SA3308 SD控制器
StorArt SA3308 SD控制器

符合SD 6.1规范，支持 2D/3D SLC/MLC/TLC，最大支持容量512GB。

衡宇芯 2018-04-01
Marvell 88SS1098 SSD控制芯片
Marvell 88SS1098 SSD控制芯片

支持PCI-E 3.0 x4，符合NVMe 1.3标准，采用Marvell第四代NANDEdge LDPC纠错技术提高SSD使用寿命。

美满 2018-03-20
Marvell 88SS1088 SSD控制芯片
Marvell 88SS1088 SSD控制芯片

支持PCI-E 3.0 x4，符合NVMe 1.3标准，并采用Marvell第四代NANDEdge LDPC纠错技术提高可靠性和耐用性，提高

美满 2018-03-20
联芸MAS0901 SSD控制芯片
联芸MAS0901 SSD控制芯片

支持SATA 6Gb/s接口，可搭配2D/3D MLC、TLC、QLC，最大支持2TB容量。

联芸科技 2018-01-20
联芸MAS0902 SSD控制芯片
联芸MAS0902 SSD控制芯片

支持SATA 6Gb/s接口，可搭配2D/3D MLC、TLC、QLC，最大支持2TB容量。

联芸科技 2018-01-20
STAR1000 NVMe SSD控制器
STAR1000 NVMe SSD控制器

高端消费级/入门企业级NVMe SSD控制器，以最小的功耗实现最大的灵活性与高性能。支持NVMe 1.2标准，支持最

忆芯科技 2018-01-10
点序IS918M USB控制器
点序IS918M USB控制器

采用UMC制程，符合USB1.1、USB2.0及USB3.1 Gen-1规范，支持各式SLC、MLC与TLC NAND。支援单通道快闪记忆体

点序科技 2018-01-02
联芸MAP0901 SSD控制芯片
联芸MAP0901 SSD控制芯片

支持PCIe 3.0 x4通道，支持全新的NVMe 1.2协议，最大支持2TB容量。

联芸科技 2017-12-21
联芸MAP0902 SSD控制芯片
联芸MAP0902 SSD控制芯片

支持PCIe 3.0 x2通道，支持全新的NVMe 1.2协议，最大支持2TB容量。

联芸科技 2017-12-21
YS9201 SSD控制芯片
YS9201 SSD控制芯片

采用40nm制程，支持主流厂商的3D MLC/TLC/QLC，PCIe 3.0x2接口，支持Toggle2.0和ONFI 3.x NAND Flash 接口

得一微电子 2017-12-08
国科微GK2301系列SSD控制芯片
国科微GK2301系列SSD控制芯片

采用SATA 6Gbps接口，集成国密SM2/3/4加解密算法、AES256加解密算法，有效保证SSD产品既有超高性能又具备高

国科微 2017-11-08
SM2262 SSD控制芯片
SM2262 SSD控制芯片

八通道设计，支持32bit DRAM缓存，支持第二代LDPC纠错技术，同时封装兼容上代SM260。

慧荣 2017-09-22

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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