江波龙(股票代码:301308)成立于1999年,主要从事Flash及DRAM存储器的研发、设计和销售。已形成嵌入式存储、固态硬盘、移动存储及内存条四大产品线,拥有行业类存储品牌FORESEE和国际高端消费类存储品牌Lexar(雷克沙)。产品广泛应用于智能手机、智能电视、平板电脑、计算机、通信设备、可穿戴设备、物联网、安防监控、工业控制、汽车电子等领域。
江波龙ORCA 4836系列企业级SSD采用128层TLC NAND,支持PCIe4.0接口,支持传统2.5英寸U.2形态。
江波龙UNCIA 3836系列企业级SSD采用128层TLC NAND,支持SATA接口,适用于服务器,基站等应用需求。
采用原厂高等级DRAM颗粒和澜起RCD,配备30μ” 金手指,提供16GB和32GB容量选择。
慧荣科技公布2026年第一季度(截至2026年3月31日)财报:营收3.42亿美元,环比增长23%,同比增长105%,创历史新高;GAAP下,毛利率47.1%,净利润6,680万美元,环比增长39.9%,同比增长243.27%;非GAAP下,毛利率47.2%,净利润5,385万美元,环比增长26.1%,同比增长165.6%。 展望后市,慧荣看好嵌入式、车用与企业级产品线持续成长,加上新一代PCIe Gen5控制芯片、车用存储与AI相关解决方案陆续放量,预期第二季营收达3.93亿美元至4.11亿美元,环比增长15%至20%,同比增长98%至107%,全年营运有望呈现逐季成长。
慧荣科技公布2026年第一季度(截至2026年3月31日)财报:营收3.42亿美元,环比增长23%,同比增长105%,创历史新高;GAAP下,毛利率47.1%,净利润6,680万美元,环比增长39.9%,同比增长243.27%;非GAAP下,毛利率47.2%,净利润5,385万美元,环比增长26.1%,同比增长165.6%。
展望后市,慧荣看好嵌入式、车用与企业级产品线持续成长,加上新一代PCIe Gen5控制芯片、车用存储与AI相关解决方案陆续放量,预期第二季营收达3.93亿美元至4.11亿美元,环比增长15%至20%,同比增长98%至107%,全年营运有望呈现逐季成长。
据外媒报道,三星电子正加速推进位于平泽园区的第四工厂(P4)量产时间。该厂投资规模达50万亿韩元,公司有望通过“临时使用许可”机制,将P4的全面爬坡时间较原定进度提前6个月,力争2026年年内全面启动。
江波龙公布2026年一季度报告。2026年第一季度,公司实现营业收入99.09亿元,同比增长132.79%;实现归属于上市公司股东的净利润38.62亿元,同比增长2,644.05%;实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润39.43亿元,同比增长 2,051.40%。
据韩媒报道,三星电子已生产出适用于10纳米以下DRAM工艺的可用工作晶圆。业内人士透露,三星在上个月采用其10a工艺制造的晶圆测试中,确认了一颗可用的晶圆,体现了4F²单元架构和垂直通道晶体管(VCT)结构的首次应用。据悉,三星的目标是在今年完成10a DRAM的开发,明年进行质量测试,并在2028年实现量产。该公司计划在10a、10b 和10c三代产品中使用 4F² 和 VCT 结构,然后在10d代转向3D DRAM。
据亚洲日报报道,SK海力士在TSMC主办的技术活动中,重点介绍了AI时代的核心组件HBM4,强调了从HBM4开始采用TSMC的先进逻辑工艺生产“基底芯片”的变化,计划在2026年量产HBM4。两家公司在部件供应和定制HBM市场多方面展开战略合作。SK海力士计划结合台积电的“CoWoS”技术和自身HBM技术,提供符合全球大科技公司需求的解决方案。
铠侠推出面向PC OEM厂商的BG8系列SSD,采用第八代 BiCS FLASH™ TLC 3D 闪存,与上一代产品相比,BG8 系列的顺序读取性能提高47%,顺序写入性能提高67%,随机读取性能提高 44%,随机写入性能提高30%。顺序读取速度高达 10,300 MB/s,顺序写入速度高达 10,000 MB/s,随机读取和写入性能分别高达 140 万和 130 万 IOPS。
对于地缘冲突对产能的影响,SK海力士表示公司已实现原材料供应商多元化,并已确保充足的库存,因此实际影响非常有限。
针对近期内存现货价疲软的趋势,SK海力士指出,这是价格急涨后部分渠道库存释放所造成的暂时性情况,并非周期见顶的信号。由于供应持续短缺,本轮涨价周期有可能比过去更长。
SK海力士发布截至2026年3月31日的2026财年第一季度财务报告:营业收入为52.5763万亿韩元(约合355.7亿美元),环比增长60%,同比增长198%;营业利润为37.6103万亿韩元(约合254.4亿美元),环比增长96%,同比增长405%;净利润为40.3459万亿韩元(约合272.9亿美元),环比增长165%,同比增长398%。2026财年第一季度营业利润率为72%,净利润率为77%。SK海力士今年的投资规模将同比大幅增加。
据韩媒报道,SK海力士已正式启动其位于美国印第安纳州的半导体生产基地建设,项目投资额达5.7万亿韩元(约合39亿美元)。这是SK海力士在美国的首家半导体工厂。据业内人士透露,SK海力士于近日通知当地社区,将开始桩基施工,预计上部结构将于今年下半年开始搭建。据悉,该基地计划于2028年下半年全面投产,预计第七代和第八代高带宽内存(HBM4E、HBM5)可能成为主要产品。
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