SK海力士HBM3

可提供6.4Gbps 的 I/O 速度，带宽提高1.8倍。

产品分类：内存芯片 品牌：SK海力士
应用领域： 服务器 汽车 网通
产品白皮书 发布于：2021-10-14
SK海力士HBM3 共2个产品
型号 容量 传输速率 堆叠
H5UG7HME03X020R 16GB 6.0Gbps 8层
H5UG7HMD83X020R 16GB 5.6Gbps 8层

产品概览

SK海力士HBM3的容量是HBM2E 的1.5倍，由12个DRAM芯片堆叠而成，总封装高度相同，非常适合AI和HPC等容量密集型应用。

SK海力士HBM3可提供6.4Gbps 的 I/O 速度，带宽提高 1.8 倍。此外，还具有强大且定制设计的片上ECC（纠错码），使用预分配的奇偶校验位来检查和纠正接收数据中的错误。嵌入式电路允许 DRAM 自行纠正单元内的错误，从而显著提高设备可靠性。

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据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

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力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

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高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

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美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

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美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

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三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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