Micron 7500 NVMe SSD

采用美光232层闪存颗粒，PCIe Gen4*4接口，符合NVMe v2.4b规范。

产品分类：固态硬盘 品牌：美光
应用领域： 数据中心
产品白皮书 发布于：2023-10-17
Micron 7500 NVMe SSD 共10个产品
系列 接口类型 NAND Flash 连续读取 连续写入 随机读取 随机写入 容量 规格
7500 PRO PCle Gen4 x4 232层3D TLC 6800MB/秒 1400MB/秒 800K IPOS 85K IPOS 960GB U.3/U.2
7500 PRO PCle Gen4 x4 232层3D TLC 6800MB/秒 2700MB/秒 1000K IPOS 145K IPOS 1.92TB U.3/U.2
7500 PRO PCle Gen4 x4 232层3D TLC 6800MB/秒 5300MB/秒 1100K IPOS 180K IPOS 3.84TB U.3/U.2
7500 PRO PCle Gen4 x4 232层3D TLC 7000MB/秒 5900MB/秒 1100K IPOS 215K IPOS 7.68TB U.3/U.2
7500 PRO PCle Gen4 x4 232层3D TLC 7000MB/秒 5900MB/秒 1100K IPOS 250K IPOS 15.36TB U.3/U.2
7500 MAX PCle Gen4 x4 232层3D TLC 6800MB/秒 1400MB/秒 800K IPOS 145K IPOS 800GB U.3/U.2
7500 MAX PCle Gen4 x4 232层3D TLC 6800MB/秒 2700MB/秒 1000K IPOS 270K IPOS 1.6TB U.3/U.2
7500 MAX PCle Gen4 x4 232层3D TLC 6800MB/秒 5300MB/秒 1100K IPOS 390K IPOS 3.2TB U.3/U.2
7500 MAX PCle Gen4 x4 232层3D TLC 7000MB/秒 5900MB/秒 1100K IPOS 400K IPOS 6.4TB U.3/U.2
7500 MAX PCle Gen4 x4 232层3D TLC 7000MB/秒 5900MB/秒 1100K IPOS 410K IPOS 12.8TB U.3/U.2

产品概览

美光适用于数据中心工作负载的7500 NVMe SSD采用美光232层3D NAND，随机写入性能比竞争对手的硬盘高出242%。

  • 顺序读取性能高达 7GB/s，顺序写入性能高达 5.9GB/s
  • 随机写入性能比竞品高出 242% 
  • 顺序写入性能比竞品高出 97% 
  • 随机读取性能比竞品高出 13% 
  • 在 100% 读取工作负载下，随机读取延迟比竞品降低高达83%
  • 在70%读取/30%写入工作负载下，随机混合I/O延迟比竞品降低高达 82% 

美光7500 SSD为开放计算项目 (OCP) SSD 2.0 规范提供广泛支持，为数据中心环境提供智能管理、性能优化、无缝集成和错误处理。该驱动器包括领先的高级管理和安全功能，例如：

  • 管理命令允许对名称空间和安全性等功能进行标准化控制，这些功能可以轻松与 OCP 兼容的管理系统集成
  • 延迟监控通过跟踪和诊断通过存储堆栈报告的延迟问题来提高性能
  • 错误恢复和错误注入功能可以快速恢复驱动器并模拟服务器中常见的错误
  • 自加密驱动器 (SED) 选项采用基于 AES-256 硬件的数据加密，以线速运行、SHA-512 和 RSA，以确保数据安全
  • 安全加密环境 (SEE) 提供专用安全处理硬件和物理隔离，以提高安全性
  • SPDM 1.2 证明可验证设备身份和固件完整性，以验证从制造到部署对 SSD 的信任
  • FIPS 140-3 2 级和 TAA 合规选项，以满足美国联邦政府采购要求

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1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

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希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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