PS5021-E21T

Phison PS5021-E21T将在21年Q4量产，不含DRAM，采用PCIe 4.0 x4，最大容量可达4 TB

产品分类：控制芯片 品牌：群联
应用领域： 平板电脑 笔记本
产品白皮书 发布于：2021-11-01
PS5021-E21T 共1个产品
系列 容量 接口 规范 连续读取 连续写入 随机读取 随机写入
PS5021-E21T 256GB ~ 2TB PCIe 4.0 x4 NVMe 1.4 最高4，900MB/s 最高4，500MB/s 最高525，000IOPS 最高550，000IOPS

产品概览

目前使用带有QLC NAND的E16控制器的许多产品线可能会在未来几代中转向使用E21T，因为无DRAM的E21T将是一个更便宜的整体解决方案，并且与E19T 相比，性能和功率提高了约 21%。

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⊙09-23 10:26

当地时间9月18日，德国慕尼黑第一地区法院第七民事庭就长江存储诉美光系列专利侵权案中的两起案件作出裁决，认定美光侵犯长江存储两项德国实用新型权，并颁发禁令，判令美光停止在德国销售相关侵权产品。这是自 2023 年 11 月双方专利战全面爆发以来，长江存储在全球范围内取得的首个实质性禁令胜利。

此次裁决涉及的两项德国实用新型分别为：
DE202020006166U1，名称为“三维存储器件的阶梯结构”（案件号 7 O 12615/25）；
DE202021004551U1，名称为“三维 NAND 存储器中字线接触的阻挡层”（案件号 7 O 12614/25）。

⊙09-22 18:47

华天南京集成电路先进封测产业基地二期二阶段建设项目封顶。项目于2026年5月正式启动桩基工程，历时4个月实现封顶，预计2027年一季度投入使用。

⊙09-22 18:35

佰维存储公告称，公司及控股子公司广东芯成汉奇拟与东莞松山湖高新区管委会签订合作协议，投资建设晶圆级先进封测制造项目三期，总投资约45亿元，其中固定资产投资40亿元。项目不涉及新增用地，建设内容在原项目工业用地内完成。公司表示，本次投资系在原项目基础上的增资扩产，资金来源为自有及自筹资金，不涉及募集资金。

⊙09-21 17:25

业界消息指出，三星计划将HBM制程中玻璃载体的外包清洗量由今年每月2万片提升至明年每月5万片，较去年每月1万片增至5倍。玻璃载体是HBM制程中临时安装于DRAM晶圆底部的支撑结构，用于防止晶圆在蚀刻与钻孔过程中发生弯曲或破裂。由于玻璃载体可重复使用，实际用量受投料方式及制程良率影响，但若清洗需求增至2.5倍，预示三星HBM4系列明年产量至少翻倍的可能性较高。三星正积极筹备扩大HBM4与HBM4E产能，两款产品均采用12层以上的高堆叠架构。

⊙09-20 17:35

美光与台湾美光存储工会于9月18日举行首次调解会议。双方进行了有建设性且助于推进沟通的讨论，并同意于10月22日举行第二次调解会议。在会议中，劳资双方代表就多项议题进行讨论，包括整体奖酬与奖金制度架构、禁搭便车议题，以及禁止秋后算账等。

⊙09-20 17:04

9月20日，德明利公布关于申请向特定对象发行股票获得深圳证券交易所上市审核中心审核通过的公告。公告称，公司于2026年9月18日收到深交所出具的审核中心意见告知函，深交所上市审核中心对公司向特定对象发行股票的申请文件进行了审核，认为公司符合发行条件、上市条件和信息披露要求，后续深交所将按规定报证监会履行相关注册程序。该事项尚需履行中国证监会注册程序，公司将根据进展情况及时履行信息披露义务。

⊙09-20 11:58

长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台（简称“G5平台”）实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破。

G5平台在关键工艺维度上依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。

⊙09-20 11:21

SK 海力士推出其企业风险投资 (CVC) 品牌“SK 海力士创投”，旨在扩大其在全球人工智能生态系统中的战略合作伙伴关系，并确保未来的创新技术。SK海力士自2015年设立企业风险投资机构，通过直接投资和基金承诺等方式，对半导体和新兴技术领域具有发展潜力的早期创业公司进行间接投资。通过投资美国、中国、以色列和日本等主要地区的企业，该公司迄今为止已实现累计投资额两倍以上的回报。

⊙09-18 17:35

据知情人士透露，长鑫计划在其北京新厂建设一条NAND研发产线，并已设立专门的研发部门推进相关技术开发。在业务拓展方面，长鑫已就NAND业务规划与客户展开接洽，其中包括一家计划将长鑫NAND芯片应用于AI系统及超算存储产品研发的初创企业。

⊙09-17 10:11

华邦电子宣布，已与英飞凌旗下的Infineon Technologies LLC签署股份购买协议，将以全现金方式取得英飞凌NOR Flash与F-RAM事业100% 股权。基础交易价格为11.2亿美元，并将于交割前按照股份购买协议所订的相关规定进行调整。本交易已获华邦董事会核准。交易预计于 2027 年下半年完成，交易完成后，华邦将直接或间接持有目标公司 100% 股权。目标公司将依循其既有营运模式，独立运营并以美国为总部所在地。

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