N930ES

采用3D NAND，提供128GB/256GB/512GB/1TB的容量选择。

产品分类：固态硬盘 品牌：朗科科技
应用领域： 台式机 笔记本
产品白皮书 发布于：2019-03-21
N930ES 共1个产品
名称 NAND Flash 接口标准 速度(读) 速度(写) 容量
N930ES 3D NAND PCIe Gen 3 ×2 最高1800MB/秒 最高1300MB/秒 128GB/256GB/512GB/1TB

产品概览

朗科的N930ES SSD采用3D NAND Flash存储颗粒，提供128GB/256GB/512GB/1TB的容量选择。

N930ES支持PCIe Gen3*2标准和NVMe1.3标准协议；2通道传输，搭配高密集垂直堆叠3D NAND；LDPC智能纠错机制；支持主机DRAM缓存架构(HMB)。

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力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

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高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

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美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

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