Intel 545S SSD系列

采用Intel 64层3D NAND闪存，搭配慧荣SM2259控制芯片（SM2258升级版），2.5英寸规格形态，容量为512GB。

产品分类：固态硬盘 品牌：英特尔
应用领域： 超极本 台式机 笔记本
产品白皮书 发布于：2017-06-27
Intel 545S SSD系列 共1个产品
系列 容量 速度(读) 速度(写) 接口速度 NAND Flash 主控芯片 形态 随机读取 随机写入 接口类型 工作温度 保修期
Intel 545s 512GB 最高550MB/秒 最高500MB/秒 SATA 6Gbps 64层3D NAND SM2259 2.5inch 最高75K IOPS 最高85K IOPS SATA III 0°C - 70°C 5年

产品概览

Intel 545s系列SSD采用英特尔64层3D NAND闪存，搭配慧荣SM2259控制芯片（SM2258升级版）。2.5英寸规格形态，容量为512GB，未来还将提供更多容量，最高可达2TB。

采用SATA6Gbps接口，顺序读写最高分别达550MB/s、500MB/s，随机读写性能分别为75K IOPS，85K IOPS，支持AES 256-bit自身加密功能保护数据，可提供长达5年的保修期。

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⊙03-19 18:07

三星电子宣布，已与AMD签署谅解备忘录 (MOU)，以扩大双方在下一代AI内存和计算技术方面的战略合作。根据该谅解备忘录，三星和AMD将在下一代AMD AI加速器、AMD Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应以及代号为“Venice”的第六代AMD EPYC CPU的先进DRAM解决方案方面达成一致。这些技术将支持结合AMD Instinct GPU、AMD EPYC CPU和机架式架构（例如AMD Helios平台）的下一代AI系统。三星和AMD还将共同研发针对第六代AMD EPYC处理器的高性能DDR5内存。

⊙03-19 18:07

据韩媒报道，三星电子工会宣布集体斗争行动议案以93.1%的赞成率获得通过，将于5月举行总罢工。分析指出，罢工一旦实施，平泽厂区约一半产能将受冲击，直接影响DRAM与NAND闪存芯片的产能释放。

⊙03-19 14:45

 美光科技近日在GTC 2026上宣布，已于2026年第一季度开始批量出货专为NVIDIA Vera Rubin平台设计的HBM4 36GB 12H显存。该产品数据传输速率超过11 Gb/s，提供超过2.8 TB/s的带宽，较上一代HBM3E带宽提升2.3倍，能效提升20%。此外，美光已向客户交付HBM4 48GB 16H样品，单颗容量提升33%。

同时，美光推出业界首款量产的PCIe Gen6数据中心SSD（Micron 9650），顺序读取速度达28 GB/s，性能为Gen5两倍，并针对NVIDIA BlueField-4架构优化。专为Vera Rubin设计的192GB SOCAMM2内存也已量产，支持高达2TB内存容量和每CPU 1.2 TB/s带宽。

⊙03-19 09:43

美光科技发布2026财年第二季度财报，得益于人工智能驱动的内存需求激增，公司营收、毛利率及每股收益均创历史新高。财报显示，美光第二财季总营收达239亿美元，环比增长75%，同比增长196%，连续第四个季度创下营收新高。其中，DRAM营收同比增长207%至188亿美元，NAND营收同比增长169%至50亿美元。公司毛利率达75%，净利润为140亿美元。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，内存已成为人工智能时代的战略资产。随着HBM等产品需求旺盛，预计第三财季营收将达到创纪录的335亿美元，毛利率约为81.0%。同时，美光正大力扩产以满足需求，预计第三财季资本支出约为70亿美元。

⊙03-18 14:51

据外媒报道，受人工智能浪潮推动，2026年AI内存芯片需求预计将持续激增，三星电子正考虑将内存芯片合同转向多年期合约，计划从现行的季度或年度合同延长至三至五年，以稳定供应并缓解市场对关键组件短缺的担忧 。

⊙03-18 11:26

据外媒报道，三星一直向英伟达供应HBM4、SOCAMM2内存模块和PM1763 SSD，现在又通过增加Grok3 LPU芯片的生产，扩大了双方的合作，已确立了其作为下一代人工智能加速器平台所有领域核心合作伙伴的地位。三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片（最底层）采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。

⊙03-17 14:50

在NVIDIA GTC 2026 大会上，三星全面展示了其在AI计算领域的技术布局，展出了从高性能内存到面向个人设备的低功耗解决方案的全系产品。三星首次展示了其下一代HBM4E内存。该产品每引脚传输速度可达16Gbps，带宽高达4.0 TB/s。此外，三星还展出了其混合铜键合（HCB）技术，这项新技术将使下一代HBM能够实现16层或更多堆叠，同时与热压键合相比降低20%以上热阻。

⊙03-17 14:30

据外媒报道，韩国SK集团董事长崔泰源表示，由于人工智能驱动的需求持续超过供应，全球芯片晶圆短缺的情况可能会持续到2030年。在加州圣何塞举行的英伟达GTC大会间隙，崔泰源接受记者采访时表示，SK海力士正在考虑在美国上市ADR，以扩大其全球投资者基础；同时，其首席执行官可能会公布稳定DRAM芯片价格的计划，集团也正在探索替代能源。

⊙03-17 09:39

当地时间3月16日，美光在官网宣布公司已于2026年第一季度开始批量出货其HBM4 36GB 12H内存。该产品专为NVIDIA Vera Rubin平台设计，实现了超过11Gb/s的引脚速度，带宽超过2.8TB/s。相比其上一代HBM3E，带宽提升了2.3倍，能效提升超过20%。为了进一步提升HBM立方体的容量，美光将16颗HBM芯片堆叠在一起，并已向客户交付了HBM4 48GB 16H的样品。与HBM4 36GB 12H产品相比，每颗HBM芯片的容量提升了33%。

⊙03-16 10:08

美光近日宣布，已完成对力积电位于中国台湾苗栗县铜锣乡的P5晶圆厂收购案，交易金额18亿美元。该厂拥有约30万平方英尺12英寸晶圆厂无尘室，将用于支持美光扩大包括HBM在内的先进DRAM产品供应，以满足人工智能驱动的市场需求。美光计划于2026财年底前启动第二座晶圆厂建造工程，再增27万平方英尺无尘室空间，预计2028财年起可支持规模出货。力积电在移交设施的同时，将依约为美光提供HBM后段晶圆制造代工，并推进存储器制程技术合作。这一战略转型有望为力积电3D AI代工新事业注入强劲成长动能。

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