| 型号 | 规格 | NAND Flash | 技术 | 通道 | ECC | 工作温度 | 存储温度 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SK6633 | eMMC4.4 | 8KB/Page SLC/MLC | 0.16微米CMOS | 1/4/8-bit | 24bit/ 1KB | -25℃ - 90℃ | ||
| SK6811 | eMMC4.41 | 8KB/Page SLC/MLC | 0.152微米CMOS | 1/4/8-bit | 70bit/ 1KB | -25℃ - 90℃ | ||
| SK6816 | eMMC4.5 | 8KB/Page 16KB/page SLC/MLC/TLC | 0.152微米CMOS | 1/4/8-bit | 70bit/ 1KB | -25℃ - 85℃ | -40°C - 85°C | |
| SK6818 | eMMC5.0 | 1x/1y MLC/TLC | 低功率CMOS | 1/4/8-bit | 70bits/1KB | -25℃ - 85℃ | -40°C - 85°C |
透过标准eMMC接口,主机可读取储存于NAND Flash之数据。擎泰eMMC控制芯片可支持多种高效能闪存芯片,其超高的读写速度以及卓越的除错能力,大力裨益手机以及数字相机等需要高效能数据读写需求。可同时支持三星 (Samsung) 、美光(Micron)、东芝 (Toshiba) 、海力士(Hynix) NAND Flash,提供客户最弹性及最适时的变化。
SK6818为符合JEDEC最新规格 eMMC5.0标准之嵌入式闪存(eMMC)控制器,采用低功率CMOS制程技术,搭配省电设计技术,SK6818控制芯片较市面上其他同类产品在省电上有极佳的表现。
SK6816为符合JEDEC. eMMC4.5标准之嵌入式闪存(eMMC)控制器,采用85奈米低功率CMOS制程技术,还支持8KB/Page 16KB/page SLC/MLC/TLC 闪存并支持70bit/ 1KB除错能力。
SK6811为符合JEDEC. eMMC4.41标准之嵌入式闪存(eMMC)控制器,采用0.152微米低功率CMOS制程技术,可支持8KB/Page SLC/MLC闪存并支持70bit/ 1KB除错能力。
SK6633为符合JEDEC. eMMC4.4标准之嵌入式闪存(eMMC)控制器,采用0.16微米低功率CMOS制程技术,可支持8KB/Page SLC/MLC闪存并支持24bit/ 1KB除错能力。