SK海力士4月20日宣布，正式量产基于第六代10纳米级（1c）LPDDR5X低功耗DRAM的192GB容量SOCAMM2产品。该模块专为高性能AI运算优化，面向英伟达Vera Rubin平台设计，旨在缓解AI基础设施的存储瓶颈。

与传统RDIMM相比，SOCAMM2带宽提升逾两倍，功耗降低75%以上，可从根本上解决数千亿参数级大模型在训练与推理中的存储瓶颈，大幅提升系统处理速度。

据亚洲日报报道，三星电子和SK海力士决定与全球大科技公司签订3至5年的长期供应合同，放弃一年期的短期合同。三星电子此前表示正在推动将供应合同从年度或季度转为3至5年的多年度合同，预计将稳定地向微软、谷歌等主要客户供应3年期的内存产品。SK海力士则正在与谷歌商讨5年期的通用DRAM长期供应合同，以最大化供应稳定性。此举旨在通过与客户在AI内存开发初期的战略合作，建立稳定的高收益模式。

SK海力士今日在官网宣布，其首款基于321层QLC NAND闪存的固态硬盘PQC21现已启动供应。4月起率先向戴尔出货，客户群体未来将扩大至其它企业。PQC21是一款客户端固态硬盘(cSSD)，具备高容量、高性能以及低功耗特征，现有1TB、2TB两种容量供客户选择。

2026年3月25日，全球主要市场存储板块多数走强，核心驱动力仍来自AI算力需求爆发及存储芯片涨价周期的持续加持。

A股存储芯片板块表现强势，睿能科技、超颖电子等多股涨停，佰维存储涨9.44%。其日前签订的15亿美元晶圆采购合同进一步提振了市场信心。

日韩股市同步上扬。日经225指数收涨2.87%，铠侠大涨6.37%；韩国KOSPI指数涨1.59%，SK海力士微涨0.91%。

台股加权指数上涨2.54%，权重股台积电涨1.42%，南亚科涨4.62%，存储相关个股整体表现活跃。

据外媒报道，SK海力士将引进价值约12万亿韩元（约合554亿元人民币）、占总资产9.97%的极紫外光刻（EUV）设备，用于下一代DRAM和高带宽存储器（HBM）量产。设备计划从本月起至明年底分期引进，每台设备分次付款。EUV由荷兰ASML独家生产，波长仅为传统ArF光源的1/13，是实现超精细工艺的关键设备，最新款单价约3000亿韩元。相关设备将陆续导入正在建设的清州M15X晶圆厂及龙仁半导体集群首座工厂，后者预计在明年2月洁净室启用后开始设备引进。

据外媒报道，韩国SK集团董事长崔泰源表示，由于人工智能驱动的需求持续超过供应，全球芯片晶圆短缺的情况可能会持续到2030年。在加州圣何塞举行的英伟达GTC大会间隙，崔泰源接受记者采访时表示，SK海力士正在考虑在美国上市ADR，以扩大其全球投资者基础；同时，其首席执行官可能会公布稳定DRAM芯片价格的计划，集团也正在探索替代能源。

当地时间 3 月 10 日，半导体设备巨头应用材料接连宣布，美光与SK海力士成为其EPIC中心的创始合作伙伴。该中心耗资50亿美元，专攻设备与工艺创新及商业化，是美国迄今最大规模的先进半导体设备研发项目，已于今年启用，旨在大幅缩短技术从研发到量产的时间。

根据合作，应用材料将与美光共同开发面向先进DRAM、HBM及NAND应用的下一代材料、工艺技术和架构，并探索支持高带宽、低功耗内存的先进封装方案，以应对AI带来的高功耗挑战。同时，应用材料与SK海力士签署全面技术开发协议，首批合作将聚焦新材料、复杂集成及HBM级先进封装，旨在提升未来存储架构的性能与可制造性。

3月10日，SK海力士宣布，已成功开发基于第六代10nm级（1c）工艺的16Gb LPDDR6 DRAM内存产品，专为搭载端侧AI的智能手机、平板等移动设备设计。该产品于今年1月CES展会首次亮相，目前已完成全球首个1c工艺LPDDR6开发验证，计划上半年完成量产准备，下半年正式供货。相较于上一代LPDDR5X，其数据处理速度提升33%，功耗降低20%以上，将大幅优化移动设备AI体验与续航表现。

3月9日，受中东地缘冲突、油价暴涨等因素影响，存储板块分化明显，A股逆势抗跌，海外市场集体重挫。A股半导体板块回调，存储芯片板块逆势走强，江波龙、佰维存储等涨幅显著，主力资金逆势流入。韩股KOSPI指数大跌5.96%并触发熔断，三星电子、SK海力士分别下跌7.81%、9.52%。台股加权指数暴跌1489.12点，跌幅4.43%，存储个股集体承压。日股铠侠下跌9.74%，美股存储股普跌，西部数据、希捷科技等收盘均有明显跌幅。

3月9日，韩国综合指数开盘大幅走低，随后震荡下挫，截至发稿，已跌超8%。韩国交易所于KOSPI 200指数期货下跌5%后启动KOSPI指数熔断机制，程序化交易暂停5分钟。个股方面，三星电子、SK海力士、均跌超10%。

日经225指数截至发稿，已跌破52000点，下跌超4000点，跌超7%，创去年4月美国关税引发抛售以来的最大跌幅。其中凯侠跌超15%。