据韩媒报道，三星电子正在推进一项计划，拟将位于器兴市正在建设中的NRD-K 2生产线用作代工生产线，而不是将其现有的研发设施用作代工厂。据悉，三星最初讨论过投资建设DRAM量产生产线，但近期拟将该生产线改用作代工晶圆。此次主要量产目标产品是用于下一代HBM的2纳米基片，该策略被解读为提前确保相关产能，响应英伟达的HBM需求。

8月13日，日韩股市双双高开。截至发稿，日经225指数涨超1%、韩国综指涨超3%。存储概念个股方面，截至发稿，三星涨超4%，SK海力士涨超7%，铠侠涨超7%。

据韩媒报道，三星电子系统LSI事业部已开始使用Claude进行定制SoC的功能验证以及半导体项目的早期软件开发，实际效率提升已初见成效。在定制化SoC验证中，原本预计耗时一个月以上的任务仅用两天就完成了；此外，还有一位工程师一天就完成了原本可能需要一个月以上的开发工作。此外，三星电子进一步将应用范围扩大到外部生成式人工智能（如Gemini和ChatGPT），并正式启动了“人工智能转型”，将人工智能引入旗下所有子公司的所有业务环节，涵盖研发、生产、营销和支持等各个方面。

日经225指数收盘上涨553.84点，涨幅0.83%，报67524.06点。韩国KOSPI指数收盘上涨233.51点，涨幅3.68%，报6579.04点，存储股大幅上涨，三星电子涨6.68%，SK海力士涨5.33%，铠侠涨3.87%。

据韩媒报道，三星电子相关负责人表示，从技术上来看，高数值孔径极紫外光刻技术应用于2nm和1.4nm工艺的量产仍需改进，而该技术在1nm级的工艺将成为刚需，公司正与其他合作联合研发High-NA EUV技术。据悉，三星计划于2029年量产1.4nm（SF1.4）工艺，2030年开始量产SF1.4+（1.4nm工艺的改进版本）和1nm工艺。

据韩媒报道，三星电子可能将其目前位于忠清南道天安和温阳工厂的部分通用存储器后端加工产能转移至越南。有分析称，三星旨在通过提高天安和温阳的HBM产能来有效利用其国内生产空间，同时将附加值相对较低的通用存储器后端工艺转移到海外。

8月12日，日韩股市双双高开。截至发稿，日经225指数涨0.15%、韩国综指涨超3%。存储概念个股方面，截至发稿，三星涨超3%，SK海力士涨超2%，铠侠涨超5%。

8月11日，A股三大指数集体低开，韩国KOSPI指数开盘下跌。个股方面，存储概念股涨跌不一，截至发稿，江波龙涨超5%，联芸涨超4%，佰维涨超1%，德明利涨0.36%，兆易涨0.23%，香农芯创、大普微跌超1%，长鑫跌超2%；三星涨超3%，SK海力士跌0.63% 。日本股市今日因法定节假日休市一日。消息面上，江波龙昨晚夜间公布半年度报告，公司上半年实现营业收入240.88亿元，同比增长136.26%；归属于上市公司股东的净利润105.77亿元，同比增长71528.66%。

据韩媒引述业界消息，三星电子已敲定今年追加生产 100 万台  Galaxy Z Fold8 阔折叠手机的计划，并已向合作供应商下达相关零部件订单。随着本次追加 100 万台产能，Fold8 的总生产规模预计将达到 380 万台（近 400 万台）。

据韩媒援引业内人士消息，继去年6月大规模派遣外籍员工后，三星电子持续向其位于美国德克萨斯州泰勒工厂增派关键人员。目前，仅泰勒工厂就已派驻约100名外籍员工，预计加上外派工人和合作公司员工，最终进驻该工厂的总人数将达到数百人。据报道，三星电子去年7月开始在泰勒工厂进行全面设备安装，并准备于9月进行试生产。这表明，随着投产在即，现场准备工作正在加速推进。三星电子的基本方针是今年尽可能完成工厂建设和量产验证，并于明年开始全面量产。