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三星电子宣布将加强次世代神经网络处理器技术，进一步扩展其人工智能解决方案的范围。并计划2030年之前，扩编NPU相关人力至2,000名左右规模，约目前相关人力的10倍。
三星移动SSD-T5拥有2TB的最大存储空间，并且可以快速传输文件，性能高达540MB/s，比硬盘快4.9倍。三星宣布将为三星T5移动SSD加入精致的玫瑰金和金属红色铝质表面。
日前有消息称，三星集团将对位于西安的NAND Flash二期工厂投资逾140亿美元。该消息传出后，三星立即通过电子邮件，向路透社发表声明，否认相关新闻报导。
三星电子公布了截至2019年3月31日的2019年Q1财报：该季营收52.39兆韩元（约450.3亿美元），同比下滑13.5%，环比下滑11.6%；营业利润6.23兆韩元（约53.6亿美元），同比下滑60.2%，环比下滑42.3%；净利润5.04兆韩元（约
三星否认将推出2TB版本的M.2 2280 970 Pro SSD。目前没有计划发布这样的产品，但并不排除未来会对SSD产品进行容量上的升级。
三星电子将于4月30日推出业界首款采用7纳米（nm）远紫外（EUV）工艺生产的应用处理器（AP）。三星计划将该款AP用于今年下半年发布的Galaxy Note 10。
三星电子宣布将在2030年前投资133万亿韩元（约合1158亿美元）用于逻辑芯片业务，以加强其在System LSI和晶圆代工业务方面的竞争力。
三星即将推出超过30万亿韩元的非存储投资计划，并与韩国政府进行过相关讨论。
三星电子宣布完成5nm FinFET工艺开发，并已开始给客户送样。与7nm相比，三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，从而使其能够拥有更多创新的标准单元架构。
三星发布了2019年Q1初步财报预告，受需求淡季以及NAND Flash和DRAM价格下滑的影响，三星预估2019年首季营收52兆韩元（约458亿美元），同比下滑14%；营业利润6.2兆韩元（约55亿美元），同比下滑60.4%。
三星电子招募汉阳大学电子工程宋永浩教授和伊利诺伊大学厄巴纳香槟分校（UIUC）计算机工程Kim Nam-seung教授加入半导体部门，以加强其下一代DRAM和NAND Flash技术。
面对全球智能型手机趋缓，以及包括存储芯片在内的半导体业务的挑战，三星正在向全球知名技术专家和专业人士抛出橄榄枝，寻找人工智能、大数据和机器人领域的顶尖人才，以加强其未来的新业务。
三星开始大规模量产12GB 低功耗双倍数率的LPDDR4X后，三星今天又宣布首次开发出第三代10纳米级（1z-nm）8Gb双倍数据速率的DDR4。
无人驾驶汽车一系列的工作都离不开数据的积累，更离不开大量数据的运算和海量数据的存储，以及数据的快速传输。 三星集成了以下汽车存储解决方案，确保最安全有效的汽车驾驶体验。
三星在NVIDIA的GPU技术大会（GTC）上发布了新的高带宽HBM2E产品，为下一代超级计算机、图形系统和人工智能（AI）等提供更高的DRAM性能水平。
2025-04-18 固态硬盘
2024-08-27 闪存芯片
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