使用第 4代 AMD EPYC处理器系统,美光实现了每插槽 378 GB/s 的峰值内存带宽,而第 3 代 AMD EPYC 处理器系统为 189 GB/ s,系统内存带宽增加了两倍。
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由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。
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威刚目前仍维持先前对存储市况的看法,虽然本季DRAM与NAND Flash合约价仍持续下探,但DRAM现货价走跌幅度已相当有限。多家存储原厂宣布调降明年资本支出及放缓制程微缩脚步,在DRAM与NAND Flash两相衡量下,预期前三大原厂将会优先守住DRAM价格,可望让DRAM市况逐步迎来正向循环。
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佰维存储Marketing副总经理李振华表示,佰维针对工业级存储的特定场景需要,持续投入研发更具优势的存储系列产品。
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群联执行长潘健成日前表示,NAND Flash价格在第三季相对第二季已跌了3成、预料市场需求在第四季到明年第一季还是疲弱,但NAND Flash原厂已相继宣布缩减或延后投资,显示目前NAND Flash的市场已逼近到底部,所有NAND Flash原厂都已在严重的亏损压力之下,再期待降价已是无空间。
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潘健成表示,目前市场景气虽低迷,但群联在设计服务领域持续有所斩获,包含服务器、车用系统、PC、手机等应用,陆续接获各种客制订单,虽然客制化需求所需的研发投资会影响短期收益,但长期有助提升客户附加价值与黏着度。
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南亚科技总经理李培瑛此前预期,第4季产品售价恐将持续走跌,虽然跌幅有机会较第3季收敛,不过第4季营运仍有亏损风险。
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新的 EXCERIA G2 microSD 系列是主流型号 EXCERIA microSD 的升级版,写入速度提高到 50 MB/s, 对应于 UHS 速度等级 3 (U3)和视频速度等级 30 (V30)。
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eMMC/UFS控制芯片营收与去年同期相比成长约三分之一,两种控制芯片都在成长,其中eMMC控制芯片成长速度为UFS控制芯片的两倍。eMMC/UFS控制芯片成长的动力主要来自和具有市场竞争地位的NAND大厂的合作,以及模组厂受惠于一些NAND大厂淡出eMMC市场所带来的转单效益。
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从SATA到M.2,从PCIe3.0到PCIe4.0,从550MB/s到7300MB/s,aigo SSD已经拥有多款产品。
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3年多来,美光进一步投资数十亿美元,将其晶圆厂改造为先进、高度自动化、可持续和人工智能驱动的设施。这包括对美光在日本广岛的工厂的投资,该工厂将在1β上大规模生产DRAM。
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目前,aigo国民好物的存储主力产品U393/U358等已经率先升级至USB3.2协议,走到了所有U盘产品的最前端。
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芯片封装是集成电路产业链中的关键一环,主要用来保障芯片在实现具体功能时免受污染且易于装配,在实现电子互联与信号通讯的同时,兼顾产品的性能、可靠性及散热等,是集成电路与外部系统互联的桥梁。
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存储模组厂创见近期推出TCG Opal加密型固态硬盘,瞄准智能物联网下大数据广泛且密集传输所带来的数据安全性隐忧,为军事国防、智能医疗与金融科技等高阶市场应用提升安全层级。
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