美光近日宣布了一项重大投资计划，将在日本广岛县建设一座新的DRAM芯片制造工厂。根据日媒报导，这座新厂预计最快将于2027年底开始运营。

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苟嘉章尤其看好大陆AI手机的发展进程将会领先全球，强调其生成式AI手机正在打造自己的云端生态系统，更跨足车联网系统，使手机成为很重要的载体，在2024年下半年到2025年就会看到更多新兴应用。

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美国得克萨斯州东区地方法院近日判决美光在同美国存储企业Netlist的专利诉讼中败诉，整体赔偿金额达4.45亿美元。陪审员认定美光侵犯了Netlist的两项存储领域专利，分别需要支付4.25亿美元和2000万美元的补偿。此外，Netlist还与其他存储巨头产生过专利纠纷。

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深圳佰维存储科技股份有限公司宣布从5月25日起启用全新的品牌标识。

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美光高层预测，HBM业务近期的年复合增长率有望高达50%，从8层堆叠升级到12层堆叠的HBM，有望推升2025年度营收。

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SK海力士母公司SK集团会长崔泰源透露，公司正在研究在日本和美国等国家建设高带宽存储（HBM）工厂的可能性，以应对人工智能（AI）对高性能芯片的激增需求。同时，SK海力士强调清洁能源采购在选址过程中的重要性，并计划加强与日本芯片制造商的合作。

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CFX730与CFX610符合CFast 2.0规范，采用112层3D NAND Flash与SATA III 6Gb/s传输接口，提供高达1TB的存储容量，提供宽温规格（-40°C~85°C），能抵御严苛的运作环境。

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三星表示，其与全球各合作伙伴的 HBM 供应测试正在“顺利”进展。

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威刚强调，因其在去年存储价格相对低点时精准建置库存，将持续发挥低价库存利益，第二季毛利率可望续写新高。

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美光近期已开始向客户提供36GB 12层 HBM3E样品。

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三星电子于21日突然宣布更换负责半导体业务的DS部门负责人。全永铉未来事业计划团部长（副会长）被任命为新的DS部门负责人，而前任DS部门负责人庆桂显被任命为未来事业计划团部长。三星电子表示，这次人事变动是在全球经济环境不确定的情况下，为了加强半导体未来竞争力而采取的预防措施。

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PC41Q采用基于长江存储晶栈Xtacking3.0平台深度优化的QLC 3D NAND，PCIeGen4x4接口，M.22242和2280两种规格形态，提供512GB、1TB、2TB等三种容量选择。

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三星电子成功将3D DRAM技术推进到16层堆叠。这一技术突破标志着三星在下一代存储半导体领域的领先地位，有望推动整个行业的发展。

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Marvell 宣布，自去年计划在越南扩展研发、工程和设计活动以来，公司在越南的员工和业务规模实现了显著增长。Marvell在岘港的新地点进一步扩大了其在越南的业务，展现了公司在该国建立世界级半导体设计中心的决心。

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近日，英韧科技通过国际权威认证机构英国标准学会(British Standards Institution，以下简称“BSI”)的审核，成功获得信息安全管理体系-ISO/IEC 27001:2022 认证，并获得ANAB和CNAS 认可。

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