铠侠发布 KIOXIA BG7 系列SSD，这是首款采用该司最新 BiCS FLASH™ 第八代 3D 闪存和创新 CMOS 直接键合阵列 (CBA) 技术的客户端解决方案，专为 PC 用户设计。随机读写速度高达 1,000,000 IOPS，顺序读取速度高达 7,000 MB/s，相比前代 KIOXIA BG6 系列，性能分别提升约 10% 和 16%。此外，得益于 CBA 技术、高效控制电路和优化的 SSD 控制器，顺序写入性能的能效提升了约 67%。

铠侠即将推出 EXCERIA G3 SSD 系列，采用BiCS FLASH™ 第八代 QLC 闪存，顺序读取速度高达 10,000 MB/s，写入速度高达 9,600 MB/s，容量最高可达 2TB。预计将于 2025 年第四季度上市。

铠侠宣布，其研发出的高度可堆叠氧化物-半导体沟道晶体管将使高密度、低功耗3D DRAM的实际应用成为可能。该技术有望降低包括人工智能服务器和物联网组件在内的众多应用领域的功耗。

据日媒报道称，为抢攻AI数据中心需求，铠侠将在2026年利用岩手北上工厂开始生产第10代的NAND Flash，其堆叠数从现行第8代的218层增加至332层，每单位面积的存储容量提升59%、数据传输速度改善33%，能耗也会降低。报道称，铠侠不会盖新厂，而是活用今年9月投产的北上工厂第2厂房(K2)生产第10代NAND Flash。

据日媒报道，铠侠控股（HD）已启动一项计划，利用生成式人工智能（AI）寻找可用于NAND闪存制造的新材料。

铠侠旗下SSSTC推出新一代企业级固态硬盘 (SSD)——ER4 系列 SATA SSD。该系列产品容量高达 16 TB，顺序读写速度分别为550 MB/s 和 530 MB/s，随机读写速度分别为98K/30K IOPS，其中 8 TB 型号随机读写速度可达98K/55K IOPS。ER4系列采用 2.5 英寸 SATA 6 Gb/s 标准接口，并支持热插拔，可直接替换传统硬盘驱动器 (HDD)。这使得企业能够在保持现有基础设施不变的情况下无缝升级存储，并优化成本效益。

日刊工业新闻报导，日本和美国考虑以公民合营模式在美国兴建一座NAND Flash工厂，因应AI爆增的需求，铠侠和SanDisk 预计是主要投资方。但该媒体也指出，这项计划面临多项挑战，包括资本结构和经营权可能出现歧见，以及可能的监管问题等。另有报导称，铠侠基于财务状况，对新增投资态度保守。

铠侠预计NAND需求将超过供应，2025财年bit出货量将实现15%的增长，而由于预见性的供应限制，2026财年bit出货量增长率约在17%-19%之间。

FY25Q2（2025年7-9月），铠侠资本支出（不包括补贴）为915亿日元，较上季度环比大幅上涨71%。在扩大生产的同时，将资本支出集中在的第8代BiCS FLASH™产品上，同时还将投资下一代BiCS FLASH™产品以实现未来增长。

铠侠发布截至2025年9月30日的FY25Q2（2025年7-9月）财务业绩，营收4483亿日元(约合29亿美元)，环比增长30.8%，主要归功于bit出货量的增加；Non-GAAP下，营业利润为872亿日元(约合5.6亿美元)，环比增长92.9%；Non-GAAP下归属于母公司所有者的利润为417亿日元（约合2.7亿美元），环比增长125.4%。