东芝存储器CM6系列SSD

采用96层TLC BiCS FLASH，支持PCIe 4.0接口，符合NVMe 1.4接口规范。

产品分类：固态硬盘 品牌：铠侠
应用领域： 服务器
产品白皮书 发布于：2019-08-07
东芝存储器CM6系列SSD 共1个产品
系列 接口 接口标准 速度(读) 尺寸 容量
CM6 PCIe 4.0 NVMe1.4 最高6.4GB/秒 2.5英寸 800GB~30TB

产品概览

东芝发布业内最快PCIe 4.0 NVMe 规范企业级CM6系列SSD，该系列产品的顺序读取速度可达6.4GB/s。

CM6系列SSD支持双端口PCIe Gen4 x4通道，并且符合NVMe 1.4接口规范。企业级NVMe SSD系列外形尺寸为2.5英寸，容量从800GB到30TB。

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9月7日晚间，江波龙在港交所公告配发结果，香港公开发售获40.32倍认购，国际发售获3.88倍认购；最终发售价236.00港元，所得款项净额68.032亿港元，H股股份将于2026年9月8日开始在香港联交所买卖。

⊙09-08 10:25

长鑫官方新闻称，其自主研发的LPDDR6芯片已实现量产商用，首发搭载于小米 18 Fold 折叠旗舰手机，这是全球范围内LPDDR6产品首次在旗舰手机端落地商用。该款产品芯片容量为16GB，最高传输速率可达12800Mbps，与SoC搭配速率为10667Mbps。

此次长鑫量产的LPDDR6单颗粒容量为16Gb，封装芯片容量达16GB，遵循JEDEC LPDDR6标准，采用1295 Ball FBGA全新封装，最高传输速率可达12800Mbps，与速率10667Mbps的LPDDR5X相比，带宽提升60%。该产品的功耗相比上一代的LPDDR5X降低了20%*，能够有效延长移动设备的续航。

⊙09-08 10:15

Lexar（雷克沙）推出 NF100 系列 SATA III SSD，采用 2.5" 7mm 外形规格，提供120GB / 250GB / 500GB / 1TB 四种容量选择，全版本顺序读取速率可达 500MB/s，四种容量的保内写入量分别为 42TB / 84TB / 168TB / 336TB。

⊙09-08 09:57

长电科技近日公告称，拟定增募资不超过65亿元，控股股东磐石润企（实际控制人为中国华润）认购22.53%，剩余份额通过市场化竞价方式由不超过35名对象认购。募集资金计划投入五个方向：高性能计算先进封装平台15亿元、高端电源模组封测10亿元、晶圆级封装平台11亿元、高密度大容量存储芯片封测10亿元，以及补充流动资金及偿还债务19亿元。

⊙09-07 16:10

长鑫科技公司高管于2026年半年度业绩说明会上，就“报告期末合同负债规模环比下降”称，因一季度合同负债对应的客户订单在二季度集中交付并结转收入，上半年合同负债余额较一季度大幅回落，属于存储行业的正常渠道周转节奏。

⊙09-07 11:22

华邦电子8月合并营收达273.09亿元（新台币，下同），环比增长2%，同比增长289.43%，受惠存储供不应求、报价大涨，营收连续九个月改写单月历史新高；累计今年前8月营收达1,521.78亿元，同比增长177.39%，创下同期新高。

⊙09-04 14:24

群联电子宣布，随着其首家欧洲本地实体在德国埃施博恩正式成立，进一步拓展其欧洲业务。同时，群联电子欧洲有限公司任命Ingvar Ersson为欧洲、中东和非洲区总经理兼总裁，Antony Zukowski为欧洲、中东和非洲区区域总监。Ersson 直接向 Phison 首席执行官 KS Pua 汇报工作。群联电子将优先考虑人工智能、超大规模计算、高性能计算和企业级市场机遇，同时提供本地化的销售、技术和市场支持，以便更好地服务于整个区域的客户。 

⊙09-04 11:55

据业界消息，美光计划在今年年底前将其HBM产能每月增加至多6万片晶圆。2025年美光的HBM月产量约为4万至5万片晶圆。知情人士透露，美光正在推进大规模的设施投资，以迅速提升其HBM4产能。到今年年底，该司将确保每月约10万片晶圆的HBM产能。为了确保这一产能，美光正在向多家HBM制造设备供应商增加采购订单。

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美光表示将向中国台湾地区员工发放历年最高的绩效奖金，具体激励奖金分红方案预计在 10 月公布，在此之前将持续通过既有沟通渠道与团队成员保持对话。

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V10 是三星最新的 3D NAND 闪存，专为满足人工智能时代对高性能、高容量和节能存储日益增长的需求而开发。基于三星的3D Bonded-VNAND架构，V10拥有超过400条字线（WL）。实现超过400层的关键在于“三层堆叠高纵横比（HARC）合并”技术。这种方法并非一次性堆叠超过400层单元，而是将它们分成三个堆叠部分，分别创建每个部分，然后垂直连接起来。相比上一代产品V9，V10的位密度提升超过58%，数据I/O速度超过4.8Gbps，性能提升超过33%，同时功耗降低超过25%。三星电子计划将V10用于支持容量高达128 TB的超高容量SSD以及下一代 PCIe 7.0 SSD。

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