消息称三星电子计划将龙仁首座芯片工厂投产时间提前至2029年

据媒体报道，三星电子正着手将其龙仁芯片集群首座半导体工厂的投产时间提前至2029年，比原计划提早一至两年。早在6月29日，三星公布投入2030万亿韩元)的大规模投资计划，涵盖平泽园区、龙仁工业园区，以及在湖南、忠清和岭南地区追加的625万亿韩元投资。

7月10日，中信证券、中信建投发布了关于长江存储控股股份有限公司首次公开发行股票并上市辅导工作进展情况报告（第一期）。中信证券、中信建投两家券商合计派出31人组成辅导团队，本期辅导期为2026年5月19日至6月30日，通过现场尽调、组织集中授课、专项问题沟通等多种辅导方式开展辅导工作。辅导工作小组将根据国家有关法律法规及中国证监会有关规定，按照辅导计划和实施方案，稳步推进辅导工作。

据媒体报道，台积电正持续提升先进封装技术CoWoS的产能规模，定下2027年月产20万片晶圆的目标。业内人士透露，台积电原计划在2026年达到月产11万片CoWoS的目标，但当前已调整到超13万片；而2027年底的实际CoWoS月产能有望达到24-26万片。然而，即便如此，仍无法满足AI XPU对逻辑芯片与HBM整合的需求。未来5年内，CoWoS将持续以每年扩大尺寸的节奏发展，以整合更多的逻辑芯片和HBM晶粒。其中，整合20个HBM、达到14倍光罩尺寸的CoWoS将于2028年量产，整合24个HBM、大于14倍光罩尺寸的版本则将2029年准备就绪。

香农芯创公告称，预计2026年半年度归属于上市公司股东的净利润为35.00亿元-40.00亿元，同比增长2118%-2434%。业绩变动主要系人工智能需求增长带动存储芯片行业高景气，公司电子元器件分销业务毛利率提高，以及自主品牌“海普存储”业务进入大规模销售阶段。香农芯创Q1净利润13.27亿，据此推算，Q2净利润预计21.73亿-26.73亿，环比增长63%-101%。

据外媒报道，AMD将于7月22日至23日举行的Advancing AI活动上推出基于Zen 6架构的EPYC Venice CPU。据悉，EPYC Venice的性能和能效比其基于Zen 5的前代产品提升超过70%。Zen 6将采用全新的 SP7插槽，并支持16通道内存，带宽最高可达1.6 TB/s。此外，它还将采用PCIe Gen 6.0标准，以提升CPU与GPU之间的通信，从而增强AI加速器的性能。主流客户端的Zen 6产品，则可能要等到今年年底才能见到，AMD很可能会在2027年1月举行的CES 2027上发布Zen 6芯片。

环球晶圆董事长徐秀兰表示，此次与美光签署10年长期供货协议(LTA)，是该司成立以来最长期限的供货合约，除反映客户对AI、高效能运算及数据中心需求的长期信心，也显示硅晶圆客户重新提高签署长约意愿，目前已有多家客户重新启动合作洽谈。美光愿意签署10年长约，代表这一波AI需求不只是短期循环，而是更长时间的成长趋势。

据媒体报道，南亚科技在法说会指出，Rubin Ultra和TPA等新一代AI加速计算平台推升HBM bit需求并持续排挤传统DRAM产能，预期至2028年全球DRAM仍将供不应求。南亚科技预估2026-2028年公司产能扩张约69%。5A新厂将导入1C/1D奈米先进制程，并新增产能约4.5万片，有助于提高单位晶圆bit产出。预计2027、2028年bit出货量将分别年增8%、53%达到67.5亿Gb和103.3亿Gb。此外，由于Q2平均每Gb价格尚未完全反映合约价上涨，且大型长约客户换约存在时间差，预计三季度ASP仍有上修空间。

印度电子制造服务商Dixon Technologies当地时间7月9日表示，印度商务和工业部已正式批准其与vivo印度成立一家51:49的合资企业。根据协议，该合资公司将开展智能手机等电子设备的OEM（代工生产）业务，主要承接vivo在印智能手机销量约三分之二的生产订单（超2000万部），同时也可面向其他电子厂商接单。此举旨在响应印度“生产印度”（Make in India）政策，强化本土供应链能力。

据外媒报道，为解决功耗和散热问题，三星正重点研发“2.xD”封装技术。据介绍，2.xD在现有基于硅中介层的封装基础上，通过应用基于面板的重分布层（RDL）中介层，将HBM、逻辑芯片和硅光子（光半导体）技术集成到单个系统中，将发展成为用于人工智能数据中心的高容量、高带宽系统封装。

据外媒报道，美国商务部长霍华德·卢特尼克表示，他希望三星电子和SK海力士能够扩大其在美国的半导体生产设施。卢特尼克在出席美光纽约州克莱工厂的混凝土浇筑仪式时表示：“我希望把美光的竞争对手三星电子和SK海力士带到美国建厂。既然美光走在了前列，竞争对手就会心生嫉妒，最终不得不效仿。”对此，三星和SK海力士均回应称，“目前尚未进行任何具体讨论”。两家公司表示，如果条件允许，他们会考虑扩大在美国的生产设施。

据外媒援引一份内部备忘录报道，为应对零部件短缺，Meta计划于9月开始生产其最新版本的AI专用芯片（Iris），以降低GPU成本。公司计划明年将计算能力翻倍至14吉瓦。据悉，Meta正与博通合作进行芯片设计，将从三星采购内存，从闪迪采购闪存，从住友电工采购光纤设备，并委托台积电进行生产。

美光宣布，受AI时代对存储器需求激增的推动，公司将加快其在美国的晶圆厂和技术投资计划，预计到2035年将支出增加到2500亿美元以上。该投资计划旨在实现美国本土产能占其DRAM总产量的比例提升至40%。作为投资的一部分，美光计划投入高达30亿美元用于强化美国半导体供应链生态系统，包括向环球晶圆公司提供5亿美元的战略融资支持，并与环球晶圆签订为期10年的供应协议获得硅晶圆产能保障。

当地时间7月9日，美股三大股指集体收涨。截至收盘，道琼斯工业指数涨幅0.27%，报52487.41点；标普500指数涨幅0.81%，报7543.64点；纳斯达克综合指数涨幅1.30%，报26206.89点。其中，大型科技股表现分化，AMD涨超5%，高通涨超2%，亚马逊涨超1%，苹果涨0.9%，微软涨0.27%，谷歌A、谷歌C跌分别跌0.84%、0.69%，英伟达跌0.66%；存储板块普遍收涨，闪迪涨超7%，西部数据涨超5%，美光涨超4%，希捷涨超3%。

工业富联公布2026年半年度业绩预增公告。经财务部门初步核算，2026年二季度，预计公司实现归母净利润128亿元到138亿元，同比上升86%-101%；归母扣非净利润124亿元到134亿元，同比上升84%到99%。2026年半年度，预计公司实现归母净利润234亿元到244亿元，同比上升93%到101%；归母扣非净利润227亿元到237亿元，同比上升94%到103%。业绩预增原因主要有：云计算业务方面经营效益同比实现大幅提升。2026年上半年，云服务商AI服务器营业收入同比增长超过230%。通讯及移动网络设备方面，公司紧抓AI算力机遇，800G以上数据中心交换机出货量同比增长1.4倍。

据韩媒报道，三星电子正在研发一款名为“GAIA”的AI芯片，用于AI PC。GAIA采用4纳米工艺制造，被认为是一种“以内存为中心的AI加速器”，将计算功能置于靠近内存的位置。不同于配备图形处理器（GPU）的AI加速器，GAIA专门用于AI计算，并采用优化的神经网络处理器 (NPU) 结构。目前，三星电子正在向联想和惠普等AI PC制造商提供GAIA芯片，以验证其性能。

兆易创新公告称，预计2026年半年度归属于上市公司股东的净利润为69.00亿元左右，同比增长1099%左右。业绩变动主要系存储芯片行业供给紧张，公司存储芯片产品量价齐升，微控制器产品出货规模增长，带动整体经营业绩大幅增长。兆易创新Q1净利润14.61亿，可推算出Q2净利润预计54.39亿，预计环比增长272%。

爱立信宣布已经与传音达成和解，解决了双方就一项多年期全球专利交叉许可协议产生的争议。作为和解协议的一部分，双方将在多个司法管辖区撤回所有正在进行的诉讼和行政程序。

据韩媒报道，Neosem宣布与三星电子签署合同，为其提供CLT内存测试仪。该合同价值86亿韩元，相当于Neosem 2025年合并营收的13.5%。根据合同金额，预计每套系统的售价将在20亿韩元以上。CLT是一款新一代腔体式低频存储器测试仪，用于验证DRAM在老化测试后的二次稳定性。该系统能够精确评估DRAM器件的低速数据读写操作、空闲状态稳定性以及长期可靠性。三星电子一直在使用Neosem和Exicon的CLT测试仪，作为其供应商多元化战略的一部分，同时确保不同制造商的设备之间CIB（集成芯片）的互换性。

英特尔公布了一项名为XBM的新专利技术，该方案旨在替代HBM4，并提供更高的带宽能力。XBM全称扩展带宽内存，属于DRAM内存方案，其封装尺寸将与HBM4保持一致，每颗芯片的容量在0.5GB-5GB之间，搭载32GT/s速率的UCIe通用芯粒互联接口。XBM最核心的突破在于制造工艺的迁移：传统DRAM的存储单元制作于前段制程（FEOL），也就是原生用于制作晶体管的底层硅基底；而XBM将1T1C存储单元转移至后段制程（BEOL），布置在晶体管上层的金属通孔堆叠区域，并采用薄膜晶体管工艺。

应用材料公司首席执行官表示，芯片制造商正在向该公司分享未来两年或更长时间的设备需求展望，以确保产能扩张顺利进行。这表明，当前由人工智能驱动的投资热潮可能会比预期持续更长时间。应用材料公司为全球主要芯片制造商提供半导体设备，包括台积电、三星电子、英特尔、SK海力士、美光和铠侠。