日本研发出新型磁性存储材料:数据切换速度可提升1000倍

存储器 2026-06-15 14:57

日本量子科学技术研究开发机构的研究团队开发出一种可由激光直接写入的新型磁性存储材料。其数据切换速度可达传统电流驱动磁存储器的约1000倍。该成果有望用于未来AI芯片和高速信息系统,同时降低数据中心能耗。研究团队表示,与此前仅在模型材料中实现的光控磁翻转相比,此次在CoFeB体系中取得的突破具有更强的实际应用价值,因为该材料与现有磁隧道结技术高度兼容,更容易融入现有存储器架构。

简讯快报

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