三星深化与英伟达的合作,公布2nm HBM5开发计划

存储器 2026-03-18 11:26

据外媒报道,三星一直向英伟达供应HBM4、SOCAMM2内存模块和PM1763 SSD,现在又通过增加Grok3 LPU芯片的生产,扩大了双方的合作,已确立了其作为下一代人工智能加速器平台所有领域核心合作伙伴的地位。三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存(HBM5),其底层芯片(最底层)采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E,该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D(第七代10纳米级)工艺的DRAM。

简讯快报

更多