消息人士表示,台积电此举目的是要控制成本并反映其对市场需求的前景日益谨慎。不过供应商方面则预估延后供货只是短期。

三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Hwang Sang-joon在本周的2023年韩国投资周上表示,预计明年HBM市场将比今年增长一倍以上。

2023年1-7月期间日本PCB产量较去年同期减少14.1%至576.5万平方公尺、产额减少16.0%至3,411.60亿日圆。

目前正在进行的用地准备工作完成后,SK海力士计划在2025年3月开始动工建设首座工厂,并于2027年5月竣工。

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连拍写入速度高达 1500MB/s ,读取速度高达 1700MB/s。提供320 GB、640 GB两种容量选择。

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据韩媒报道,机构预计三星电子第三季度销售额和营业利润分别为67.3万亿韩元和1.8万亿韩元。环比二季度60.01万亿韩元的销售额和0.67万亿韩元的营业利润显著改善,但存储产品减产带来的固定成本负担的影响预计将大于预期。

据悉,可能是产品转换问题,抑或是苹果出价太低,导致162层NAND不符合整体成本控制,苹果才转变策略。

三星电子正致力于提高其最新NAND V8(236 层)的产能和良率。据悉V8产品在生产之初良率并不好,但良率正在逐渐提高。业界估计,三星电子的V8 NAND良率,基于高等级(A级和B级),今年上半年低于50%,但目前已升至60%的范围。

谷歌年初时就宣布将裁员12,000 人,将影响到约6%的全职员工,波及旗下各大部门,也包括谷歌的招聘部门。

白皮书显示,SK 海力士的 DDR5 功耗比 DDR4 低 14.4%,而第四代英特尔®至强®可扩展处理器的性能效率是上一代的 2.9 倍。在采用 Xeon 的服务器中,DDR5 实现了每瓦性能的提高,与 DDR4 相比,整数计算提高了1.22 倍,浮点计算提高了 1.11 倍。

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刘德音说,亚利桑那州晶圆厂是台积电第一次尝试在海外建造超大晶圆厂,台积电从3年前开始这项项目,这是一个学习的过程,这也是美国第一个如此大规模的晶圆厂。

由于全球市场DRAM价格下跌,占所有ICT出货量近一半的半导体出口同比下降 21.1%至75亿美元。

ARM昨日正式宣布重新上市,以集资额 48.7亿美元成为今年最大IPO,公司市值达545亿美元。

得一微电子多年来深耕存储,旗下系列高可靠车规eMMC存储器,专为汽车行业打造。产品皆搭载得一微自研的主控芯片,支持eMMC 5.1数据传输模式,具有优秀的读写性能和迅捷的响应速度,已通过国际汽车电子协会AEC-Q100 Grade 2的车规测试验证。

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据悉,三星旗下DS部门的先进封装业务团队已经开始研发将FO-PLP先进封装技术用于2.5D 的芯片封装上。通过这项技术,三星预计可将SoC和HBM整合到硅中介层上,进一步构建其成为一个完整的芯片。

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