台积电正在研究一种创新的芯片封装方法,该方法采用矩形基板代替传统的圆形晶圆,旨在减少边缘未使用的面积,从而在每个晶圆上放置更多芯片。这项技术目前处于早期阶段,但有望显著提升芯片产量和封装效率。
佰维存储秉承“Infinite Storage, Unlimited Solutions”的服务理念,紧密贴合终端行业的发展趋势及存储需求,持续拓展存储技术创新与应用边界,致力于为客户提供更加精准、高效的存储解决方案。
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普冉股份表示,2024年以来,随着下游市场的景气度逐渐复苏,产品出货量及营收同比均有较大幅度提升,1-5月出货量累计约35亿颗,较去年同期翻番。目前在手订单 1.7亿元左右(含税)。
据外媒报道,台积电已获得英特尔的3nm制程代工订单,用于生产酷睿Ultra 200系列处理器,包括Lunar Lake和Arrow Lake系列。这一决策体现了英特尔对台积电先进制程技术的信任,同时也引发了市场对其自家代工业务的关注。
尽管三星电子在3nm制程工艺上率先量产,但台积电凭借其高良品率和能效优势,赢得了包括苹果、英伟达、AMD、英特尔、高通、联发科和谷歌在内的七家公司的青睐,这些公司优先采用台积电的3nm制程工艺进行芯片生产。
根据日经亚洲报道,美光科技正在全球多个生产基地扩建或计划扩建高带宽内存(HBM)产线,以期在AI热潮中获得更多利润丰厚的订单。公司目标是在2025年将HBM领域的市场份额提升至约20%,与公司在DRAM行业的整体营收份额看齐。
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三星电子内存半导体部门负责人在近期的全员会议上预告了下半年的组织重组计划,旨在加强协同效应和精简化,提高公司的竞争力和市场响应速度。
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力成曾指出,随着智能手机和人工智能需求的持续增长,本季度NAND市场的需求量预计会实现两位数百分比的季度增长。同时,随着数据中心需求的回暖,SSD的组装业务也有望回升。
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Techwing已于去年下半年完成开发,将于今年第三季度开始批量生产并正式向客户出货HBM检测设备Cube Probe。一旦进入量产阶段,这将是第一台HBM专用检测设备。
日本三井化学近日宣布,将开始量产半导体最尖端光刻机的光掩模防护膜新品,可支持ASML将推出的下一代光刻机。
随着今年存储芯片需求的回升,全球领先的存储芯片制造商三星电子、SK海力士以及日本的铠侠开始提高NAND闪存芯片的产量。
佰维存储公告,经初步测算,预计2024年半年度营业收入31亿元至37亿元 ,同比增长169.97%至222.22%;预计2024年半年度实现归属于母公司所有者的净利润为2.8亿元至3.3亿元,同比增长194.44%至211.31%。
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三星电子和SK海力士正在将3D DRAM技术与先进的混合键合技术相结合,以提高存储芯片的性能和制造效率。
根据SEMI最新发布的季度《世界晶圆厂预测报告》,为满足持续增长的芯片需求,全球半导体制造业预计在2024年将产能提升6%,2025年进一步增长7%,达到创纪录的每月3370万片晶圆(以8英寸等效计)。
美国半导体行业协会(SIA)最新数据显示,2024年4月全球半导体销售额同比和环比均实现增长,其中美洲市场同比增长显著。SIA预测,2024年全球半导体销售额将达到6112亿美元,有望刷新历史记录,而2025年销售额预计将进一步增至6874亿美元。