得一微电子多年深耕存储存储,致力于为汽车行业提供高性能、高安全、高可靠的汽车存储解决方案。其成功推出的多款车规级eMMC存储芯片,凭借出色的读写性能、迅捷的响应速度以及稳定的工作环境适应性,已获得众多知名车企和Tier1厂商的认可和采用。
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深圳中院判决如下:一、被告卢浩、赵迎、深圳市晶存科技有限公司立即停止侵害原告深圳市江波龙电子股份有限公司涉案商业秘密的行为;二、被告卢浩、赵迎、深圳市晶存科技有限公司于本判决生效之日起十日内连带赔偿原告深圳市江波龙电子股份有限公司经济损失 14,183,388.42 元;
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凭借在智能终端等物联网应用领域的创新存储技术与出色市场表现,佰维存储荣获“2023中国物联网领航奖——领航企业”殊荣。
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据了解,三星电子计划将DRAM和NAND产量较今年分别扩大约24%,SK海力士计划扩大生产,重点关注 HBM 等尖端 DRAM,计划将 DRAM 产量提高到减产前的水平,即去年年底前的水平。
TEL投资者关系部门主管高木纯子日前表示,日本与美国政府的出口管制措施,固然对该公司造成一些影响,但程度远小于原来预期。
台积电熊本新厂主要股东包括持股过半的台积电、持股低于20%的索尼,以及持股约10%的日本电装,新厂建置产能以28/22纳米、16/12纳米为主。
2023年10月份日本印刷电路板(PCB;硬板+软板+模组基板)产量较去年同月大减15.0%至81.4万平方米,连续第21个月陷入萎缩;产额大减23.0%至467.0亿日圆,连续第12个月陷入萎缩,减幅连续第8个月达2位数(10%以上)水准,创今年来第2大减幅(仅低于4月的大减24.7%)。
过去包括2018年,三星曾多次稳坐榜首,但这一次,它输给了Alphabet、Meta、微软、苹果等美国信息通信技术(ICT)公司,甚至落后于华为和大众汽车。
相比第四代产品,其单颗CPU最高支持48个核心、96个线程,最大三级缓存容量达260MB;支持的DDR5内存速度最高达5600MT/s,CPU之间互连的UPI速度最高达20GT/s;基于LINPACK测试,其综合浮点计算性能最高提升近40%。
南亚科技Q4仍维持动态减产20%以内的水准,明年整体位元出货量预计将较今年成长。
目前主流的NAND技术是V-NAND,通过垂直堆叠单元来提高存储容量和性能。然而,随着V-NAND不断小型化,它已经达到了一个阶段,如果没有对原子级别发生的现象有基本的了解,就很难实现创新。
Lexar PLAY 2230 PCIe 4.0 SSD读取速度高达 5200 MB/秒,写入速度高达 4700 MB/秒,可处理最苛刻的游戏并快速传输文件。
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Gelsinger已将英特尔的制造部门转移到现在称为「英特尔代工服务」 (IFS) 的部门,为其内部的业务运作。他表示,IFS将自明年第二季起公布财务数据。
旺宏董事长吴敏求针对行业景气度表示,全球经济情势不佳,明年产业景气虽然可望较今年好,但好转程度有限。其中工业及车用需求稳定,医疗可望成长。
台积电强调,这次变更仅更改公司名称,并未设立新公司,公司更名不会影响现有合约,也不会对当前公司业务造成任何影响或延迟。